[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 201220044368.4 | 申请日: | 2012-02-10 |
公开(公告)号: | CN202749374U | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 赵立新;霍介光;李杰 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底的第一侧形成有金属互连层;
第一类型掺杂区,其位于所述衬底中;
第二类型掺杂区,其位于所述衬底中,并与所述第一类型掺杂区相邻以形成光电二极管;
电极层,其位于所述衬底的第二侧,其中所述电极层是可透光的;
绝缘层,其位于所述电极层与所述衬底之间;
其中,所述电极层与所述衬底之间具有预定电势差,以使得所述衬底的第二侧的表面形成第二类型导电层。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第一类型掺杂区从所述衬底的第二侧露出,所述预定电势差使得所述第一类型掺杂区表面反型为所述第二类型导电层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述第二类型掺杂区从所述衬底的第二侧露出并覆盖所述第一类型掺杂区,所述预定电势差使得所述第二类型掺杂区表面的多数载流子的浓度提高。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述电极层包括一个或多个通孔,其位于所述光电二极管上。
5.根据权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,所述一个或多个通孔的面积超过所述光电二极管面积的10%。
6.根据权利要求4所述的图像传感器,其特征在于,所述通孔的形状是六边形。
7.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述电极层的厚度不超过2000埃。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括:
电极互连层,其位于所述电极层上,用于将所述电极层电引出。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述电极 互连层位于所述光电二极管的边缘。
10.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述电极互连层的厚度为400埃至5000埃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的