[实用新型]图像传感器及源跟随器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括一个或多个像素单元，其中每个像素单元包括：

光电二极管，用于感应光强变化而生成相应的图像电荷信号；

转移晶体管，用于转移所述图像电荷信号；

源跟随晶体管，用于基于所转移的图像电荷信号生成电压信号，其中，所述源跟随晶体管是结型场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述源跟随晶体管包括：

第一导电类型衬底；

第二导电类型阱，位于所述第一导电类型衬底中；

第二导电类型掺杂层，至少部分位于所述第二导电类型阱中；

第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱中；

第一导电类型漏区，位于所述第一导电类型衬底中和/或位于所述第二导电类型阱中；

第一导电类型阱，至少部分位于所述第二导电类型阱与所述第二导电类型掺杂层之间，以使得所述第一导电类型源区与所述第一导电类型漏区电连接。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第二导电类型阱与所述第二导电类型掺杂层在所述第一导电类型阱外至少部分相互重叠，以使得所述第二导电类型阱与所述第二导电类型掺杂层相互电连接。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型漏区至少部分位于所述第二导电类型阱外。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，多个像素单元的至少部分源跟随晶体管的第一导电类型漏区至少部分地位于所述第二导电类型阱外，以使得所述至少部分源跟随晶体管的第一导电类型漏区具有相等的电位。

6.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第二导电类型掺杂层耦接至所述转移晶体管的漏极，所述第一导电类型漏区耦接至参考电位线，所述第一导电类型源区用于输出所述电压信号。

7.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一导电类型衬底中还包括介电隔离区，其位于所述第二导电类型阱外，用于隔离所述第二导电类型阱与所述光电二极管。

8.一种源跟随器，其特征在于，包括源跟随晶体管与偏置电流源，其中，所述源跟随晶体管是结型场效应晶体管，其栅极用于接收输入信号；其漏区耦接至参考电位线；其源区耦接至所述偏置电流源以获取偏置电流，并用于输出电压信号。

9.根据权利要求8所述的源跟随器，其特征在于，所述源跟随晶体管包括：

第一导电类型衬底；

第二导电类型阱，位于所述第一导电类型衬底中；

第二导电类型掺杂层，至少部分位于所述第二导电类型阱中；

第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱中；

第一导电类型漏区，位于所述第一导电类型衬底中和/或位于所述第二导电类型阱中；

第一导电类型阱，至少部分位于所述第二导电类型阱与所述第二导电类型掺杂层之间，以使得所述第一导电类型源区与所述第一导电类型漏区电连接。

10.根据权利要求9所述的源跟随器，其特征在于，所述第二导电类型阱与所述第二导电类型掺杂层在所述第一导电类型阱外至少部分相互重叠，以使得所述第二导电类型阱与所述第二导电类型掺杂层相互电连接。

11.根据权利要求9所述的源跟随器，其特征在于，所述第一导电类型漏区至少部分位于所述第二导电类型阱外。