[实用新型]高热负载大功率半导体激光器

权利要求书

1.一种高热负载大功率半导体激光器，其包括：

壳体(1)，所述的壳体(1)侧壁上固定安装有多个管脚(11)；

TEC制冷器(2)，其烧焊在所述管壳(1)内；

热沉(3)，其固定在所述的TEC制冷器(2)上；

半导体激光器芯片组件(4)，其设置在所述的热沉(3)上，用于产生激光光源；

电路板(5)，其连接在所述的半导体激光器芯片组件(4)与管脚(12)之间，用于实现电光转换；

其特征在于：

所述的半导体激光芯片组件(4)为基于COS封装的芯片组件，其包括散热基板(41)和粘贴在散热基板(41)上的激光芯片(42)，所述的散热基板(41)粘贴在所述的热沉(3)上；所述的电路板(5)为表面金属涂覆陶瓷电路板，且所述的电路板(5)与所述的半导体激光器芯片组件(4)之间通过连接铜片(6)相电连接。

2.根据权利要求1所述的高热负载大功率半导体激光器，其特征在于：所述的热沉(3)呈“L”型，所述的半导体激光芯片组件(4)粘贴在所述热沉(3)竖直方向的内侧面上，所述的电路板(5)固定在所述热沉(3)的水平方向的内表面上。

3.根据权利要求1或2所述的高热负载大功率半导体激光器，其特征在于：在所述的热沉(3)上且位于所述的半导体激光芯片组件(4)两侧粘贴有引线端子(43)，所述的连接铜片(6)两端分别与所述的电路板(5)和引线端子(43)相接触连接。

4.根据权利要求1所述的高热负载大功率半导体激光器，其特征在于：所述的电路板(5)上安装有用于监控壳体(1)内部温度的热敏电阻(7)。

5.根据权利要求1或4所述的高热负载大功率半导体激光器，其特征在于：所述的电路板(5)上还安装有用于监控所述的半导体激光芯片组件(4)输出光功率的光电探测器(8)。

6.根据权利要求5所述的高热负载大功率半导体激光器，其特征在于：所述的光电探测器(8)为具有监测功能的光电二极管MPD。

7.根据权利要求1或2所述的高热负载大功率半导体激光器，其特征在于：所述的壳体(1)包括壳座(12)和壳盖(13)，且所述的壳盖(13)上开设有透光窗口(131)，且透光窗口(131)上镀有对输出激光波长增透的光学膜。

8.根据权利要求1所述的高热负载大功率半导体激光器，其特征在于：所述的半导体激光芯片组件(4)通过导热银胶或焊锡与所述的热沉(3)相粘贴。