[实用新型]一种锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口有效
| 申请号： | 201220049595.6 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN202615803U | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 杨庆喜;宋云涛;王成浩;赵燕平 | 申请（专利权）人： | 中国科学院等离子体物理研究所 |
| 主分类号： | G21B1/11 | 分类号： | G21B1/11;G21B1/23;H05H1/18 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 锥形 梯度 绝缘 陶瓷 连接 密封 真空 | ||
【权利要求书】：
1.一种锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口，包括有锥形梯度绝缘陶瓷、内、外导体以及两端法兰，其特征在于：锥形梯度绝缘陶瓷一端与内导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷另一端与外导体的连接处分为纯金属区域和材料梯度区域，锥形梯度绝缘陶瓷两端的材料梯度区域之间为纯陶瓷区域。
2.根据权利要求1所述的锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口，其特征在于：所述锥形梯度绝缘陶瓷形状为圆锥形，圆锥度为11°。
3.根据权利要求1所述的锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口，其特征在于：所述的材料梯度区域长度为2mm。
4.根据权利要求1所述的锥形梯度绝缘陶瓷连接密封的真空馈口，其特征在于：所述的锥形梯度绝缘陶瓷表面纯金属化区域金属与法兰过渡段金属材料热膨胀系数相同或相近。
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