[实用新型]无电容型低压差线性稳压系统及其偏置电流调整电路

权利要求书

1.一种无电容型低压差线性稳压系统的偏置电流调整电路，与直流电源及无电容型低压差线性稳压器相连接，其特征在于，所述偏置电流调整电路包括：

电源端接所述直流电源的输出端，第一控制端和第二控制端分别与所述无电容型低压差线性稳压器的第一节点和第二节点相连接，根据所述无电容型低压差线性稳压器的第一节点和第二节点的电压变化生成两个不同的静态电压信号的静态电压信号生成模块；

电源端接所述直流电源的输出端，第一输入端和第二输入端分别接所述静态电压信号生成模块的第一输出端和第二输出端，对所述两个不同的静态电压信号进行滤波处理的高通滤波模块；

电源端接所述直流电源的输出端，第一控制端和第二控制端分别与所述高通滤波模块的第一输出端和第二输出端相连接，电流调节端接所述无电容型低压差线性稳压器的偏置电流端，根据所述高通滤波模块处理过的两个不同的静态电压信号对所述无电容型低压差线性稳压器的偏置电流进行调节的电流调节模块。

2.如权利要求1所述的偏置电流调整电路，其特征在于，所述静态电压信号生成模块包括：

PMOS管Mp1、NMOS管Mn1、PMOS管Mp2、NMOS管Mn2、PMOS管Mp3、NMOS管Mn3、PMOS管Mp4及NMOS管Mn4；

所述PMOS管Mp1的源极和栅极分别为所述静态电压信号生成模块的电源端和第一控制端，所述PMOS管Mp1的漏极接所述NMOS管Mn1的漏极，所述NMOS管Mn1的栅极为所述静态电压信号生成模块的第二控制端，所述NMOS管Mn1的源极接等电势地，所述PMOS管Mp2的源极接所述PMOS管Mp1的源极，所述PMOS管Mp2的栅极与所述NMOS管Mn2的栅极共接于所述PMOS管Mp1的漏极，所述PMOS管Mp2的漏极与所述NMOS管Mn2的漏极共接并形成所述静态电压信号生成模块的第一输出端，所述NMOS管Mn2的源极接等电势地，所述PMOS管Mp3的源极和栅极分别与所述PMOS管Mp2的源极和所述PMOS管Mp1的栅极相连接，所述PMOS管Mp3的漏极接所述NMOS管Mn3的漏极，所述NMOS管Mn3的栅极和源极分别接所述NMOS管Mn1的栅极和等电势地，所述PMOS管Mp4的源极接所述PMOS管Mp3的源极，所述PMOS管Mp4的栅极与所述NMOS管Mn4的栅极共接于所述PMOS管Mp3的漏极，所述PMOS管Mp4的漏极与所述NMOS管Mn4的漏极共接并形成所述静态电压信号生成模块的第二输出端，所述NMOS管Mn4的源极接等电势地。

3.如权利要求1所述的偏置电流调整电路，其特征在于，所述高通滤波模块包括：

电容C1、电阻R1、电阻R2及电容C2；

所述电容C1的正极为所述高通滤波模块的第一输入端，所述电容C1的负极与所述电阻R1的第一端共接并形成所述高通滤波模块的第一输出端，所述电阻R1的第二端接等电势地，所述电容C2的正极为所述高通滤波模块的第二输入端，所述电阻R2的第一端为所述高通滤波模块的电源端，所述电阻R2的第二端与所述电容C2的负极共接并形成所述高通滤波模块的第二输出端。

4.如权利要求1所述的偏置电流调整电路，其特征在于，所述电流调节模块包括：

NMOS管Mns、PMOS管Mps、PMOS管Mpb1、PMOS管Mpb2、PMOS管Mpb3、电流源Ib、NMOS管Mnb1及NMOS管Mnb2；

所述NMOS管Mns的栅极为所述电流调节模块的第一控制端，所述NMOS管Mns的漏极和源极分别与所述PMOS管Mps的源极和漏极相连接，所述PMOS管Mpb1的源极、所述PMOS管Mpb2的源极以及所述PMOS管Mpb3的源极共接并形成所述电流调节模块的电源端，所述PMOS管Mpb1的漏极接所述PMOS管Mps的源极，所述PMOS管Mpb1的栅极同时与所述PMOS管Mpb2的栅极和所述PMOS管Mpb3的栅极相连接，所述PMOS管Mpb2的漏极同时与所述PMOS管Mps的漏极和所述NMOS管Mnb1的漏极相连接，所述电流源Ib的输入端和输出端分别接所述PMOS管Mpb3的漏极和等电势地，所述NMOS管Mnb1的漏极与栅极共接后再与所述NMOS管Mnb2栅极连接，所述NMOS管Mnb2的漏极为所述电流调节模块的电流调节端，所述NMOS管Mnb1的源极与所述NMOS管Mnb2的源极共接于等电势地。