[实用新型]石墨盘、具有上述石墨盘的反应腔室有效
| 申请号： | 201220059186.4 | 申请日： | 2012-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN202465868U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 梁秉文 | 申请（专利权）人： | 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/44;C30B25/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 具有 上述 反应 | ||
1.一种化学气相沉积工艺的石墨盘，具有用于放置衬底的凹槽，其特征在于，所述凹槽所在的位置具有与之对应的支撑架，所述支撑架用于将衬底悬置，使得衬底与石墨盘不接触。
2.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的形状为环形，所述支撑架环绕所述凹槽的底部一周，所述支撑架位于衬底的下方。
3.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述凹槽的侧壁与底部构成V型。
4.如权利要求2所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架与其中放置的衬底的厚度之和等于所述凹槽的深度。
5.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架悬挂于所述凹槽两侧的石墨盘上，所述支撑架的顶部固定于所述凹槽的两侧的石墨盘上，所述支撑架的底部用于放置衬底。
6.如权利要求5所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的形状为Z型或阶梯型。
7.如权利要求5所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的正面、衬底的正面与石墨盘的正面齐平。
8.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述石墨盘中具有孔洞，位于衬底的边缘对应石墨盘中，所述孔洞用于减小石墨盘对衬底的边缘的热辐射。
9.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的与衬底接触的表面上形成有多个孔隙，用于减小所述支撑架与衬底的接触面积。
10.如权利要求9所述的石墨盘，其特征在于，所述支撑架的用于放置衬底的部分为双环形结构或多个支撑柱。
11.如权利要求1所述的石墨盘，其特征在于，所述凹槽的深度范围为300微米～2毫米，所述支撑架的高度范围为290微米～1.7毫米。
12.一种化学气相沉积设备的反应腔室，其特征在于，包括如权利要求1所述的石墨盘。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
