[实用新型]一种液晶显示器

说明书

技术领域

本申请涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种广视角液晶显示器。

背景技术

液晶显示器产品中广泛应用到透明电极材料，目前，TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)厂商均采用高温镀ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)膜的方法制造透明电极，但是这种制造透明电极的方法需要复杂的加热设备，此种加热设备的成本较高，导致液晶显示器的制造成本较高，而且，ITO膜内部的灰尘较多，因此，采用ITO膜制造得到的透明电极内的灰尘较多，提高产品的良率受到制约。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种液晶显示器，以降低液晶显示器中的透明电极的制作成本，提高液晶显示器的良率，技术方案如下：

一种液晶显示器，包括：第一基板、第二基板，以及设置在所述上第一基板和所述第二基板之间的液晶层，其中：

所述第一基板上的具有防静电层，且该防静电层为铟锌氧化物IZO膜；

所述第二基板上由下至上依次设置有栅极层、栅极绝缘层、有源层、像素电极、源漏层、绝缘保护层以及公共电极，其中，所述像素电极、公共电极为铟锌氧化物IZO电极；

优选的，所述第一、第二基板均为玻璃基板。

优选的，所述有源层的材质为非晶硅。

优选的，所述栅极层的材质为金属。

优选的，所述源漏层的材质为金属。

优选的，所述绝缘层保护层的材质为氮化硅。

由以上本申请实施例提供的技术方案可见，该液晶显示器采用IZO膜制造透明电极及设置在第一基板上的防静电层，所述透明电极可以是设置在第二基板上的像素电极和公共电极。由于IZO膜是采用低温成膜技术得到的，因此，不需要使用复杂的加热装置，从而降低了设备成本，进而降低了液晶显示器的制造成本，而且，由于IZO膜内的杂质较少，因而采用IZO膜制造得到的透明电极的杂质较少，提高了透明电极的透过率，进而提高了液晶显示器的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例一种液晶显示器的结构示意图；

图2为本申请实施例一种下玻璃基板的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

请参见图1和图2，图1为本申请实施例提供的液晶显示器的结构示意图，图2为本申请实施例提供的下玻璃基板的结构示意图，该液晶显示器主要包括：第一基板100、第二基板200、液晶层300，其中：

第一基板100的上表面设置有防静电层101，该防静电层的材质为IZO膜，且该防静电层通过导电金属102与第二基板200电连接。第一基板100的下表面上设置有黑色矩阵103。

具体的，第一基板100和第二基板200均为玻璃基板。

具体参见图2，第二基板200的上表面上设置有栅极层201，设置在所述栅极层201，以及未设置栅极层201的下玻璃基板200上的栅极绝缘层202，设置在所述栅极绝缘层202上的有源层203，设置在所述有源层203上的源漏层204，该源漏层上设置有绝缘保护层205，且源漏层204被绝缘保护层205分割成左右两部分，其中位于图2左半部分的是源极层206，位于图2右半部分的是漏极层207，在漏极层和栅极绝缘层之间设置有像素电极层208，且像素电极层与漏极层207电连接。在绝缘保护层205上设置有公共电极209。

其中，所述像素电极层208和公共电极209均采用透明电极材料制成，即采用IZO膜低温成膜技术制得。

具体的，栅极层201和源漏层204采用低电阻的导电金属制成，有源层204可以通过非晶硅实现。所述绝缘层保护层205和栅极绝缘层202均可以采用绝缘材料实现，优选的采用氮化硅实现。