[实用新型]一种系统集成电路封装结构有效

专利信息
申请号: 201220061366.6 申请日: 2012-02-23
公开(公告)号: CN202473897U 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 郭清军;王俊峰;余欢;樊卫峰 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/50
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710054 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 系统集成 电路 封装 结构
【说明书】:

技术领域

实用新型属于微电子领域,涉及一种系统集成电路封装结构,尤其是一种涉及裸芯片、混合集成工艺、工艺材料的混合集成电路技术。 

背景技术

系统集成的一个显著特点是集成规模大,集成密度高,表现为元器件数量多、集成大量的超大规模和大规模集成电路芯片,随之而来的是电路的I/O引脚数量也成倍增加。系统集成电路一般都是专用电路,没有标准封装,需要根据具体的集成需求设计封装,使得系统集成呈现出封装结构的多样性和复杂性。高密度、大腔体、多引线的系统集成(SiP)电路的封装一直是系统集成(SiP)电路设计制造的难点。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足,提供一种系统集成电路封装结构,解决了系统集成电路集成度大、I/O引脚数量多的问题。 

本实用新型的目的是通过以下技术方案来解决的: 

一种系统集成电路封装结构,包括陶瓷基板、上框架、上盖板、下框架、下盖板和插座,所述陶瓷基板是多层陶瓷基板,陶瓷基板内部有金属导带作为电路的互连线;陶瓷基板上表面焊接有上框架、陶瓷基板下表面焊接有下框架,陶瓷基板的上表面或下表面焊接有插 座,插座位于上框架或下框架的外侧;所述上框架上设置有上盖板,上表面、上框架和上盖板形成密闭的上腔体;所述下框架上设置有下盖板,下表面、下框架和下盖板形成密闭的下腔体。 

所述陶瓷基板是低温共烧陶瓷(LTCC)基板。 

所述上腔体和下腔体中安装有元器件裸芯片。 

所述上框架、上盖板、下框架和下盖板采用可伐材料制成,其与使用的陶瓷基板有相近的热膨胀系数。 

所述插座与陶瓷基板之焊接在一起,标准插座上各插针根据设计与电路内部连接,形成电路的输入输出引脚。 

本实用新型的系统集成电路封装结构,使陶瓷基板封装一体化、具有双面腔体和微型插座I/O引脚,达到了系统高密度集成、多引脚的封装。 

附图说明

图1为本实用新型的系统集成封装结构的结构示意图; 

图2为本实用新型的系统集成封装结构左视图; 

图3为本实用新型的系统集成封装结构仰视图; 

图4为本实用新型的标准插座结构示意图。 

其中:1为上框架;2为陶瓷基板;3为下框架;4为上盖板;5为下盖板;6为标准插座。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述: 

参见图1-4,本实用新型的系统集成封装结构,主要有陶瓷基板、上框架、上盖板、下框架、下盖板、插座组成。 

陶瓷基板是低温共烧陶瓷(LTCC),是多层陶瓷基板,陶瓷基板内部有金属导带作为电路的互连线;陶瓷基板的上下焊接上金属的框架,形成上下两个腔体,供安装元器件裸芯片;两个腔体配有合适的盖板,再组装调试完腔体内部的元器件后进行密封,使之成为密封的腔体。金属框架和盖板采用是可伐材料,使之与使用的陶瓷基板有相近的热膨胀系数。 

输入输出(I/O)引脚采用的是标准的微型插座,与陶瓷基板之间用再流焊焊接在一起,各插针根据设计与电路内部连接,形成电路的I/O引脚。本实用新型的外形尺寸是70mm×53mm×12mm。 

基于国产CPU的SiP计算机模块电路,采用本实用新型的系统集成电路封装结构将计算机的主要元器件以裸芯片的形式集成在一个封装体内,电路内集成的元器件数量有超大规模集成电路芯片12片,中小规模集成电路芯片17片,光耦9路,无源器件95只,采用标准的微型插座,I/O数量160线,封装尺寸70×53×12(mm3)。电路的可靠性达到了GJB2438H级。 

以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本实用新型,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围内,当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,仍属于本实用新型技术方案的范 围内。 

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