[实用新型]电子镇流器高压脉冲触发电路

说明书

技术领域

本发明属于电子镇流器技术领域，具体涉及高强度气体放电灯电子镇流器中产生高压脉冲触发的电路。

背景技术

气体放电灯是一种具有负阻特性的电光源，必须和镇流器一起配套使用。电子镇流器因为高效节能等许多优点而得到广泛应用。气体放电灯必须由高电压来触发点亮，所以高压触发电路是电子镇流器的一个重要组成部分。一般来说高压触发电路分成两大类：脉冲高压触发电路和谐振高压触发电路。

脉冲高压触发电路由于电路简单而得到广泛应用。脉冲高压一般是由一个初、次级匝数比很大的变压器产生，一个充满电的电容器通过半导体开关对变压器的初级绕组放电，在变压器的次级产生高电压。这个半导体开关一般是场效应晶体管或可控硅。使用场效应晶体管的缺点是成本高，使用可控硅的缺点是很难可靠地使可控硅关断。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种可靠关断可控硅功率开关的电子镇流器高压脉冲触发电路。

为实现上述技术目的，采用的技术方案是：

电子镇流器高压脉冲触发电路，由可控硅门极触发电路和可控硅主电路构成，其特征是：可控硅主电路由充电电阻、可控硅、钳位二极管、电容、高压脉冲变压器和稳压管组成；高压脉冲变压器分别与可控硅及电容的阳极相连接，可控硅的负极与电容负极相连；充电电阻与直流电源正极相连，依次与由电容、高压脉冲变压器和可控硅构成的电容放电回路及稳压管串联后与电源地相连。

所述的钳位二极管反向并联在可控硅的阴极与阳极之间。

所述稳压管的阴极分别与可控硅及电容的阴极连接，稳压管D的阳极与电源地连接，为可控硅门极提供反向偏置电压，使可控硅可靠关断。

本实用新型的有益效果是：

充电电阻与由电容、高压脉冲变压器和可控硅构成的电容放电回路，及稳压管构成串联电路，稳压管的阴极分别与可控硅及电容的阴极连接，给门极提供反向偏置电压，使可控硅能可靠关断。

当电路对电容充电时，充电电阻、电容及稳压管串联，电流也流过稳压管，不论电流的大小，稳压管两端都能产生一个恒定的电压，可控硅的阴极受到这个恒定电压的抬升，高于地电平，使可控硅能可靠关断；如果可控硅一直导通，则充电电阻、可控硅和稳压管组成一个串联电路的关系，同样，在稳压管两端会产生一个恒定的电压，使可控硅能可靠关断。

附图说明

下面结合附图与具体实施方案对本实用新型作进一步的说明：

图1是实施例1电路示意图

图2是实施例2电路示意图

具体实施方式

实施例一：

如图1所示：电子镇流器高压脉冲触发电路，由可控硅门极触发电路和可控硅主电路构成。

可控硅主电路由充电电阻R1、可控硅Q1、钳位二极管D3、电容C1、高压脉冲变压器T1和稳压管D1组成，充电电阻R1一端与直流电源Udc正极相连，另一端依次与由电容C1、高压脉冲变压器T1和可控硅Q1构成的放电回路，及稳压管D1串联后与电源地相连。电容C1的阳极与充电电阻R1相连，直流电源Udc经充电电阻R1为电容C1提供充电电流。电容C1和高压脉冲变压器T1的初级绕组W1及可控硅Q1连接成一个闭合放电回路，当电容C1充电后，可控硅Q1被触发导通时就能在次级绕组W2上产生高压脉冲Uout。钳位二极管D3与可控硅Q1反向并联，可以保护可控硅Q1免受反向电压的损坏。高压脉冲变压器T1分别与可控硅Q1及电容的阳极相连接；可控硅Q1的负极与电容C1负极相连；稳压管D1的阴极分别与可控硅Q1及电容C1的阴极连接，稳压管D的阳极与电源地连接，提供可控硅Q1门极反向偏置电压，使可控硅Q1能可靠关断。

可控硅门极触发电路由电阻R2、R3、R4和电容C2以及触发二极管D2组成；电阻R2、R3形成一个电阻串联分压电路，此电路对电容C2充电。当电容C2的电压达到触发二极管D2的击穿电压时，可控硅就会被触发导通，同时C2被放电，触发二极管D2恢复截止。当控制电路使晶体管Q2导通时，电容C2被短路，触发二极管D2保持截止，可控硅不导通，高压触发脉冲就被关闭。

电阻R1对电容C1的充电电流会流过稳压管D1，根据稳压管的特性，不论电流的大小，其两端的电压是恒定的，使可控硅Q1的阴极电压抬升，从而保证Q1的可靠关断。

实施例二：