[实用新型]具有重叠电极的LED芯片结构

权利要求书

1.一种具有重叠电极的LED芯片结构，包括衬底（1）及位于所述衬底（1）上的N型氮化镓层（2）、量子阱（3）及P型氮化镓层（4）；其特征是：所述P型淡化基层（4）上覆盖有第一透明导电层（5），第一透明导电层（5）上覆盖有第二透明导电层（6），所述第二透明导电层（6）上设有对称分布的P电极（7），所述P电极（7）与第二透明导电层（6）电连接；P电极（7）的正下方均设有透明的电流扩散控制绝缘层（9）。

2.根据权利要求1所述的具有重叠电极的LED芯片结构，其特征是：所述P电极（7）在第一透明导电层（5）上的投影面积不大于电流扩散控制绝缘层（9）在第一透明导电层（5）上的投影面积。

3.根据权利要求1所述的具有重叠电极的LED芯片结构，其特征是：所述电流扩散控制绝缘层（9）包括二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的具有重叠电极的LED芯片结构，其特征是：所述第二透明导电层（6）的等效电阻值低于第一透明导电层（5）的等效电阻值。

5.根据权利要求1所述的具有重叠电极的LED芯片结构，其特征是：所述N型氮化镓层（2）上设有对称分布的N电极（8），N电极（8）与N型氮化镓层（2）电连接。

6.根据权利要求1或4所述的具有重叠电极的LED芯片结构，其特征是：所述第一透明导电层（5）与第二透明导电层（6）为ITO层。

7.根据权利要求1所述的具有重叠电极的LED芯片结构，其特征是：所述衬底（1）为蓝宝石基板。

8.根据权利要求5所述的具有重叠电极的LED芯片结构，其特征是：所述N电极（8）的材料包括Al、Ag、Cr、Ni或Ti。

9.根据权利要求5所述的具有重叠电极的LED芯片结构，其特征是：所述N电极（8）上覆盖有枝杈绝缘层（11）。

10.根据权利要求9所述的具有重叠电极的LED芯片结构，其特征是：所述枝杈绝缘层（11）包括二氧化硅。