[实用新型]具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路有效
申请号: | 201220068911.4 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN202488429U | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 魏榕山;陈寿昌;陈锦锋;何明华 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H03K19/094 | 分类号: | H03K19/094 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350002 福建省福州市铜*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 微分 电阻 特性 混合 set cmos 电路 | ||
【权利要求书】:
1.一种具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路,其特征在于:包括一单电子晶体管SET及一PMOS管,所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连,单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连。
2.根据权利要求1所述的具有负微分电阻特性的混合SET/CMOS电路,其特征在于:所述单电子晶体管SET由两个隧穿结通过库仑岛串联而成,外加的偏置电压由栅极电容耦合到库仑岛上,以控制器件的隧穿电流。
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