[实用新型]一种可控稳压器控制电路有效
申请号: | 201220071125.X | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN202583933U | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 何成 | 申请(专利权)人: | 广东西屋电气有限公司 |
主分类号: | G05F3/16 | 分类号: | G05F3/16 |
代理公司: | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人: | 张明 |
地址: | 523000 广东省东莞市寮步镇*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可控 稳压器 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及稳压器技术领域,特别是涉及一种可控稳压器控制电路。
背景技术
线圈式稳压器是现代社会常用的电子器件之一。现有技术中,线圈式稳压器是通过碳刷在线圈上的滑动来进行电压调节,而碳刷的滑动则是通过控制电路进行控制。现有技术中的控制电路通常由两片LM393运算比较器及一些电阻构成模拟集成电路作为控制电路,通过调节比较阈值进行稳压控制。
由于电压的调节是靠碳刷在线圈上滑动来实现的,故调节速度会比较慢。而比较器的运算速度快且不可控制,当外界电压波动时,运算比较器会快速做出反应使碳刷动作。由于速度不可控,故碳刷会在惯性力的作用下使输出电压反向超出稳压范围,从而导致碳刷在一定的时间范围内来回波动。不仅输出电压稳定性差,而且容易导致碳刷磨损。
因此,针对现有技术中存在的问题,亟需提供执行机构的运行速度可控的可控稳压器控制电路,以提高输出电压精度、减少碳刷磨损。
发明内容
本实用新型的目的在于避免现有技术中的不足之处而提供一种可控稳压器控制电路,该可控稳压器控制电路具有运行速度可控,输出电压精度高,碳刷磨损小的特点。
本实用新型的目的通过以下技术措施实现。
一种可控稳压器控制电路,设置有输入信号单元、PWM处理器单元、驱动单元和执行单元,所述输入信号单元的输出端与所述PWM处理器单元的输入端连接,所述PWM处理器单元的输出端与所述驱动单元的输入端连接,所述驱动单元的输出端与所述驱动单元的输入端连接。
上述PWM处理器单元设置为芯片U3,所述芯片U3的型号为ATmega8;
所述驱动单元设置有排阻R1、排阻R2、电阻R3、芯片U1、芯片U2、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、二级管D2、二级管D3、二级管D9和二级管D11;
所述光耦U1的型号为TLP521,所述芯片U2的型号L298N;
所述芯片U3的引脚1与所述输入信号单元的引脚2连接,所述芯片U3的引脚28与所述输入信号单元的引脚1连接,所述芯片U3的引脚7、引脚20和引脚21接+5V电源,所述芯片U3的引脚8、引脚22接地,所述芯片U3的引脚3与芯片U1的引脚2连接,所述芯片U3的引脚10与芯片U1的引脚4连接,所述芯片U3的引脚18与芯片U1的引脚6连接,所述芯片U3的引脚15与芯片U1的引脚8连接,所述芯片U3的引脚14与所述芯片U2的引脚6连接,所述芯片U3的引脚23与电阻R3一端、芯片U2的引脚1、芯片U2的引脚15连接,电阻R3另一端接地;
所述排阻R1的引脚1接+5V电源,所述排阻R1的引脚2与芯片U1的引脚7连接,所述排阻R1的引脚3与芯片U1的引脚5连接,所述排阻R1的引脚4与芯片U1的引脚3连接,所述排阻R1的引脚5与芯片U1的引脚1连接;
所述排阻R2的引脚1接+5V电源,所述排阻R2的引脚2与芯片U1的引脚16连接,所述排阻R2的引脚3与芯片U1的引脚14连接,所述排阻R2的引脚4与芯片U1的引脚12连接,所述排阻R2的引脚5与芯片U1的引脚10连接;
所述芯片U1的引脚15与芯片U2的引脚5连接,所述芯片U1的引脚13与芯片U2的引脚7连接,所述芯片U1的引脚11与芯片U2的引脚10连接,所述芯片U1的引脚9与芯片U2的引脚12连接,所述芯片U2的引脚8接地;
所述电容C1一端、所述电容C2一端、所述芯片U2的引脚9、所述芯片U2的引脚11接+5V电源,所述C1另一端、所述电容C2另一端接地,所述芯片U2的引脚4、所述二极管D2正极、所述二极管D3正极、所述电容C3一端、所述电容C4一端接+12V电源,所述电容C3另一端、所述电容C4另一端接地,所述二极管D2负极、所述二极管D9正极、所述芯片U2的引脚3与执行单元的引脚2连接,所述二极管D3负极、所述二极管D11正极、所述芯片U2的引脚2与执行单元的引脚1连接,所述电容D9另一端、所述电容D11另一端接地。
上述排阻R1的型号为A102J,所述排阻R2的型号为A102J。
上述电阻R3为0.1欧姆。
上述二极管D2、二级管D3、二级管D9和二级管D11的型号均设置为IN4007。
上述电容C1设置为100微法。
上述电容C2设置为0.1微法。
上述电容C3设置为100微法。
上述电容C4设置为0.1微法。
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