[实用新型]一种TFT-LCD阵列基板和液晶显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及液晶显示屏制造领域，尤其涉及一种TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)阵列基板和液晶显示器。

背景技术

高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS)，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

由于在应用ADS技术的中小尺寸显示屏产品中，公共电极与数据线相交叠，使得电容很大，导致需要消耗很大的电量才能使显示屏正常显示，因此，应用ADS技术的中小尺寸显示屏在其公共电极与数据线间加入了一层树脂绝缘层，以降低公共电极与数据线间的电容。

由于树脂绝缘层相对较厚，若将其置于公共电极与像素电极之间，则会影响到这二者间的电场，现有技术一般将这层树脂绝缘层置于像素电极之下、数据线之上。如图1所示为目前常见的加入树脂绝缘层的中小尺寸TFT-LCD结构平面图，其中，栅极线2与栅极2a连接并处于同一层上，形成于基板1之上；有源层8形成于栅极2a之上；数据线3、源极3a和漏极3b处于同一层上，其中，源极3a与漏极3b位于有源层8之上，且源极3a与漏极3b之间形成沟道3c，数据线3与源极3a相连接；树脂绝缘层7形成于数据线3之上，且覆盖整个阵列基板区域；像素电极4(相当于板状电极)形成于树脂绝缘层7之上，通过树脂绝缘层7上的过孔7a与漏极3b连接；钝化层(图中没有示出)形成于像素电极4之上；公共电极6(相当于狭缝电极)形成于钝化层之上。如图1所示的结构中，栅极2a、源极3a、漏极3b、沟道3c、以及有源层8共同组成薄膜晶体管9，栅极线2与数据线3所占的区域以及二者所包围的区域总称为像素区，像素区内除去栅极线2和数据线3所占区域、以及薄膜晶体管9所占区域以外的区域总称为开口区。

然而现有技术在中小尺寸TFT-LCD中对树脂绝缘层的这种分布结构有很多弊端，如图1所示，树脂绝缘层覆盖了整个基板区域，其不仅存在于公共电极与数据线相交叠的位置，同时也存在于开口区上，由于开口区为用于透过光线显示图像的区域，而树脂绝缘层具有一定的厚度，这样就会降低整个开口区的光透过率；并且为使得像素电极与漏电极的连接，还需要在树脂绝缘层上形成一个过孔，而过孔的形成往往会带来漏光部位，这就需要使用BM(Black Matrix，黑矩阵)去弥补漏光部位，BM的使用会占用了像素区内的一部分区域，从而导致显示屏开口率的下降。

实用新型内容

本实用新型提供一种TFT-LCD阵列基板和液晶显示器，用以解决现有技术中由于树脂绝缘层的分布导致开口区光透过率较低的问题。

本实用新型包括：

一种TFT-LCD阵列基板，包括形成于基板上的栅极线、数据线、薄膜晶体管，所述栅极线与数据线所占区域以及二者交叉限定的区域为像素区，所述像素区内除去栅极线、数据线、以及薄膜晶体管所占区域以外的区域为开口区，所述开口区内形成有像素电极和公共电极，所述TFT-LCD阵列基板还包括：树脂绝缘层，位于所述数据线与所述像素电极之间，包括被刻蚀掉的刻蚀区和未经刻蚀的覆盖区，所述覆盖区至少覆盖所述数据线、所述薄膜晶体管的源极和沟道，所述刻蚀区至少暴露出所述开口区。

所述TFT-LCD阵列基板中，所述覆盖区覆盖所述数据线和所述薄膜晶体管的源极、沟道以及漏极，在所述树脂绝缘层上对应所述薄膜晶体管的漏极的位置设置有过孔，所述漏极经所述过孔与像素电极连接在一起。

所述TFT-LCD阵列基板中，所述刻蚀区暴露出所述开口区和所述栅极线。所述TFT-LCD阵列基板中，所述刻蚀区暴露出所述开口区和所述薄膜晶体管的漏极。

所述TFT-LCD阵列基板中，所述刻蚀区暴露出所述开口区、所述薄膜晶体管的漏极和所述栅极线。

一种液晶显示器，包括如上所述的TFT-LCD阵列基板。

本实用新型提供一种TFT-LCD阵列基板，其中树脂绝缘层至少覆盖住数据线、薄膜晶体管的源极和沟道，并至少暴露出开口区，这样既可以利用树脂绝缘层降低数据线与公共电极之间的电容影响，又不会减少阵列基板开口区的光透过量。

附图说明