[实用新型]一种内匹配放大器有效
申请号: | 201220074055.3 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN202455316U | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 韩红波;刘萌萌;朱正贤;孙树风;汪蕾 | 申请(专利权)人: | 西安空间无线电技术研究所 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/20 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 安丽 |
地址: | 710100 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 匹配 放大器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种微波产品,特别是一种L波段大功率内匹配放大器。
背景技术
内匹配放大器在相关文献中已有介绍,但是大多都集中在C波段及C波段以上的频段,通常采用Al2o3陶瓷板来实现。而L波段由于频率低、波长长的特点,决定了假如采用普通的Al2o3陶瓷板来实现的话,电路尺寸将过大,与采用分立的功率场效应管形式相比毫无优势。所以,在L波段固放的实现方式方面,主要是通过场效应管加外部匹配电路来实现,或者委托场效应管研制厂家来专门定制内匹配场效应管,例如德国TESAT公司和日本的NTS公司。国外这种定制场效应管的方式对于我国是不开放的,给我国固放的小型化研制带来了难以逾越的屏障。
实用新型内容
本实用新型的技术解决问题是:克服现有技术的不足,提供了一种小型化的L波段内匹配放大器。
本实用新型的技术解决方案是:一种内匹配放大器,包括管壳、两个内置分压电路、前级放大器、后级放大器、输入过渡片、输出过渡片、输入匹配电路、输出匹配电路、两个栅极偏置电路、两个漏极偏置电路、两个射频绝缘子和四个低频绝缘子;第一低频绝缘子、第一射频绝缘子和第二低频绝缘子通过管壳侧壁上的阶梯孔顺序固定在管壳的左侧,第三低频绝缘子、第二射频绝缘子和第四低频绝缘子通过管壳侧壁上的阶梯孔顺序固定在管壳的右侧;第一内置分压电路、输入过渡片、第二内置分压电路从上至下布置在管壳内底部的左侧,第一低频绝缘子与第一内置分压电路的输入端连接,第二低频绝缘子与第二内置分压电路的输入端连接;前级放大器装配在输入过渡片的右侧,前级放大器的输入端与输入过渡片的一端连接,输入过渡片的另一端与第一射频绝缘子连接作为内匹配放大器的输入端;输入匹配电路固定在前级放大器的右侧,前级放大器的输出端与输入匹配电路的输入端连接,两个栅极偏置电路分别位于输入匹配电路的上下两侧为前级放大器和后级放大器的栅极供电,其中第一栅极偏置电路的输入端与第一内置分压电路的输出端连接,第二栅极偏置电路的输入端与第二内置分压电路的输出端连接;后级放大器固定装配在输入匹配电路的右侧,后级放大器的输入端与输入匹配电路的输出端连接,输出匹配电路固定在后级放大器的右侧,后级放大器的输出端与输出匹配电路的输入端连接,两个漏极偏置电路分别位于输出匹配电路的上下两侧为后级放大器的漏极供电;输出匹配电路的输出端连接输出过渡片的一端,输出过渡片的另一端与第二射频绝缘子连接作为内匹配放大器的输出端,第一漏极偏置电路的输入端与第三低频绝缘子连接,第二漏极偏置电路的输入端与第四低频绝缘子连接。
所述的前级放大器为MMIC放大器。所述的后级放大器为HFET管芯。所述的管壳的材料为无氧铜。所述的两个内置分压电路分别通过四分之一波长扼流线与输入匹配电路的输入端连接。
本实用新型与现有技术相比的优点在于:
(1)本实用新型采用了内匹配技术,将现有技术所采用场效应管加外部匹配电路的实现方式用大功率管芯加高介电常数内匹配电路方式代替,解决了现有技术电路尺寸大、不便于集成的问题;
(2)本实用新型采用了MMIC放大器和HFET管芯实现了高增益、高效率的性能,易于集成,大大减小了放大器模块的尺寸;
(3)本实用新型采用无氧铜管壳和矩阵式的布局形式实现了高性能放大器模块、保证了良好的散热条件;
(4)本实用新型设计中将前级放大器的供电电路和后级放大器的供电电路在同一陶瓷片电路上实现,简化了电路,减小了尺寸;
(5)本实用新型设计的内匹配放大器比现有技术所研制产品具有更好的的幅度和相位一致性,适应于批量生产;
(6)本实用新型采用了集成化偏置网络,直接适应-5V和+9V二次电源,无需进行电源的变换,减少了整机集成的工作。
附图说明
图1为本实用新型内匹配放大器的结构图。
具体实施方式
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