[实用新型]模数变换器电容阵列

说明书

技术领域

 本实用新型涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种模数变换器电容阵列。

背景技术

现有的半导体芯片中的电容是由上极板、下极板及绝缘层组成，在半导体芯片中，电容的上极板上面设置有若干金属层，电容间设置有连接线，连接线平面之间以及连接线侧壁之间存在寄生电容、寄生电感或寄生电阻，在半导体芯片速度正常运行时，寄生电容、寄生电感或寄生电阻的参数值会影响半导体芯片中电容的参数值，使之与理论值产生±20%的偏差，这种偏差受温度、电压、信号强弱等因素的影响而不同。

当电路的设计要求半导体芯片速度很快或者频率很高时，寄生电容、寄生电感或寄生电阻的参数值对半导体芯片的干扰尤为严重，有可能会毁坏整个半导体芯片。

发明内容

本实用新型是针对上述背景技术存在的缺陷提供一种降低半导体芯片内部电容的寄生效应的模数变换器电容阵列。

为实现上述目的，本实用新型公开了一种模数变换器电容阵列，其包括基体及电容模组，所述电容模组设置于所述基体上，所述基体为半导体基板，所述电容模组包括若干间隔设置的电容及屏蔽层，所述屏蔽层围设于所述电容外侧。

进一步地，所述基体上固持有屏蔽罩，所述屏蔽罩设置于所述电容模组外围。

进一步地，所述电容包括上极板、绝缘层及下极板，所述上极板、绝缘层及下极板至上而下依次排列，屏蔽层内部上端配合所述上极板设置，所述屏蔽层内部下端配合所述下极板设置。

进一步地，所述屏蔽层为金属材质构造。

综上所述，本实用新型模数变换器电容阵列通过在所述电容模组外围设置屏蔽罩，同时对所述电容进一步设置屏蔽层，隔绝外界的电磁干扰，降低所述电容与周围电子器件的寄生效应，进而实现电容与周围电子器件的完美匹配。

附图说明

图1为本实用新型实施例的横切面结构示意图。

图2为本实用新型实施例的纵切面结构示意图。

具体实施方式

为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。

请参阅图1和图2，本实用新型模数变换器电容阵列包括基体10、电容模组20及屏蔽罩30，所述基体10为半导体基板，所述电容模组20设置于所述基体10上，所述屏蔽罩30固持于所述基体10上并设置于所述电容模组20外围，以将所述电容模组20进行静电屏蔽。

所述电容模组20包括若干间隔设置的电容21及屏蔽层22，所述电容21包括上极板211、绝缘层212及下极板213，所述上极板211、绝缘层212及下极板213至上而下依次排列；所述屏蔽层22为金属材质构造，所述屏蔽层22围设于所述电容21外侧，所述屏蔽层22内部上端配合所述上极板211设置，所述屏蔽层22内部下端配合所述下极板213设置。

电路处于运行状态时，所述屏蔽层22将所述电容21外界的电磁干扰进行隔绝，所述电容21的电容参数值与理论值的偏差降低，所述电容21与周围电子器件产生的寄生效应降低；同时，所述屏蔽罩对所述电容模组20进行整体隔绝，所述电容模组20与周围电子器件的寄生效应也降低，进而实现所述电容21与周围电子器件的完美匹配。

综上所述，本实用新型模数变换器电容阵列通过在所述电容模组20外围设置屏蔽罩30，同时对所述电容21进一步设置屏蔽层22，隔绝外界的电磁干扰，降低所述电容21与周围电子器件的寄生效应，进而实现电容21与周围电子器件的完美匹配。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型的保护范围应以所附权利要求为准。