[实用新型]8000到14000纳米带通红外滤光片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种红外热成像仪组件，特别是8000到14000纳米带通红外滤光片。

背景技术

红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)是通过非接触探测红外能量(热量)，并将其转换为电信号，进而在显示器上生成热图像和温度值，并可以对温度值进行计算的一种检测设备。红外热成像仪(热成像仪或红外热成像仪)能够将探测到的热量精确量化，或测量，使您不仅能够观察热图像，还能够对发热的故障区域进行准确识别和严格分析。

红外热成像仪的探测器是实现红外能量(热能)转换电信号的关键，由于各种生物所发出来的红外能量(热量)是不同的，所以在日常使用中为了观察某种特定生物的热图像，人们往往会在探测器中添加红外滤光片，通过红外滤光片可以使光电探测器只接受特定波段的红外能量，保证红外热成像仪的成像结果。

目前在用于人体成像中的8000到14000纳米带通红外滤光片，往往信噪比低，精度差，不能满足市场发展的需要。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种峰值透过率高，能极大的提高信噪比的8000到14000纳米带通红外滤光片。

为了实现上述目的，本实用新型所设计的8000到14000纳米带通红外滤光片，包括成分为Ge的基板以及分别位于基板两侧面的第一镀膜层和第二镀膜层，其特征是所述第一镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为210纳米的Ge层、厚度为261纳米的ZnS层、厚度为233纳米的Ge层、厚度为301纳米的ZnS层、厚度为112纳米的Ge层、厚度为187纳米的ZnS层、厚度为85纳米的Ge层、厚度为279纳米的ZnS层、厚度为136纳米的Ge层、厚度为333纳米的ZnS层、厚度为191纳米的Ge层、厚度为268纳米的ZnS层、厚度为139纳米的Ge层、厚度为238纳米的ZnS层、厚度为238纳米的Ge层、厚度为338纳米的ZnS层、厚度为207纳米的Ge层、厚度为423纳米的ZnS层、厚度为192纳米的Ge层、厚度为253纳米的ZnS层、厚度为192纳米的Ge层、厚度为390纳米的ZnS层、厚度为347纳米的Ge层、厚度为312纳米的ZnS层、厚度为268纳米的Ge层、厚度为382纳米的ZnS层、厚度为335纳米的Ge层、厚度为357纳米的ZnS层、厚度为303纳米的Ge层、厚度为314纳米的ZnS层、厚度为320纳米的Ge层、厚度为758纳米的ZnS层、厚度为166纳米的Ge层、厚度为806纳米的ZnS层、厚度为108纳米的Ge层、厚度为555纳米的ZnS层、厚度为318纳米的Ge层、厚度为653纳米的ZnS层、厚度为366纳米的Ge层、厚度为746纳米的ZnS层、厚度为405纳米的Ge层、厚度为707纳米的ZnS层、厚度为332纳米的Ge层、厚度为834纳米的ZnS层、厚度为441纳米的Ge层、厚度为437纳米的ZnS层、厚度为407纳米的Ge层、厚度为451纳米的ZnS层、厚度为560纳米的Ge层和厚度为473纳米的ZnS层；所述第二镀膜层包含从内向外依次排列的厚度为272纳米的Ge层、厚度为282纳米的ZnS层、厚度为1331纳米的Ge层、厚度为2187纳米的ZnS层、厚度为1077纳米的Ge层、厚度为1964纳米的ZnS层、厚度为1039纳米的Ge层、厚度为1972纳米的ZnS层、厚度为1027纳米的Ge层、厚度为2012纳米的ZnS层、厚度为1039纳米的Ge层、厚度为2046纳米的ZnS层、厚度为1070纳米的Ge层、厚度为503纳米的ZnS层、厚度为450纳米的Ge层和厚度为290纳米的ZnS层。

上述各材料对应的厚度，其允许在公差范围内变化，其变化的范围属于本专利保护的范围，为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。

本实用新型得到的8000到14000纳米带通红外滤光片，其Ge材质的基板配合表面ZnS、Ge材质的镀膜层，实现中心波长定位在8000±1％到14000±1％纳米，峰值透过率达90％以上，截止区透过率小于0.1％，大大提高了信噪比，配合红外热成像仪使用，提升红外热成像仪的成像结果。

附图说明

图1是实施例1的结构示意图；

图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。

图中：基板1、第一镀膜层11、第二镀膜层12。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

实施例1：