[实用新型]7350纳米带通红外滤光片有效
申请号: | 201220090907.8 | 申请日: | 2012-03-12 |
公开(公告)号: | CN202472017U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 吕晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 7350 纳米 通红 滤光 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种滤光片,特别是7350纳米带通红外滤光片。
背景技术
在自然界,任何物体在绝对零度(-273度)以上,都有红外谱线发出,而每种物质都有其特殊的发射或吸收特征峰。带通红外滤光片过滤、截止可见光同时允许特定的红外线通过。利用带通红外滤光片的这种允许物体的特征红外谱线透过的特性,可以探测出特定物质的存在,广泛应用于安防、环保、工业、科研等。带通红外滤光片的质量直接影响探测的精度和灵敏度。目前的红外滤光片在检测SO2气体中也有应用,但是检测精度不高,在实际过程中不能够很好的满足需要。就目前用于SO2气体探测中的7350纳米带通红外滤光片,检测精度不高、透过率和信噪比低,精度差,有时候出现误测的现象,不能满足市场发展的需要。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决上述现有技术的不足而提供一种峰值透过率高,能极大的提高信噪比,适用于检测SO2气体的7350纳米带通红外滤光片。
为了实现上述目的,本实用新型所设计的7350纳米带通红外滤光片,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层和以Ge、ZnS为镀膜材料的第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间,其特征是所述第一镀膜层包含由内向外依次排列的220nm厚度的Ge层、318nm厚度的SiO层、150nm厚度的Ge层、455nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层、365nm厚度的SiO层、162nm厚度的Ge层、116nm厚度的SiO层、251nm厚度的Ge层、265nm厚度的SiO层、143nm厚度的Ge层、554nm厚度的SiO层、148nm厚度的Ge层、512nm厚度的SiO层、190nm厚度的Ge层、177nm厚度的SiO层、351nm厚度的Ge层、559nm厚度的SiO层、105nm厚度的Ge层、815nm厚度的SiO层、133nm厚度的Ge层、258nm厚度的SiO层、344nm厚度的Ge层、647nm厚度的SiO层、165nm厚度的Ge层、827nm厚度的SiO层、364nm厚度的Ge层、348nm厚度的SiO层、359nm厚度的Ge层、842nm厚度的SiO层、378nm厚度的Ge层、407nm厚度的SiO层、189nm厚度的Ge层和100nm厚度的SiO层,所述第二镀膜层包含由内向外依次排列的107nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZNS层、430nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZnS层、860nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZnS层、430nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZnS层、430nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZnS层、430nm厚度的Ge层、820nm厚度的ZnS层、430nm厚度的Ge层、1639nm厚度的ZnS层、430nm厚度的Ge层、724nm厚度的ZnS层、392nm厚度的Ge层和157nm厚度的ZnS层。
上述各材料对应的厚度,其允许在公差范围内变化,其变化的范围属于本专利保护的范围,为等同关系。通常厚度的公差在10nm左右。
通过上述的设计,实现了该红外滤波片适用于检测SO2气体,且中心波长定位为7350纳米,透过率90%,可增加对SO2气体的分辨能力,提高检测精度,更好的满足实际中的使用要求。
本实用新型得到的7350纳米带通红外滤光片,能实现中心波长定位为7350±1%纳米,峰值透过率达90%以上,截止区透过率小于0.1%,大大提高了信噪比,为精确测量所需测量的气体提供了基本保证,特别是可适用于检测SO2气体,增加对SO2气体的分辨能力,提高检测精度,更好的满足实际中的使用要求。
附图说明
图1是实施例的整体结构示意图;
图2是实施例提供的红外光谱透过率实测曲线图。
图中:第一镀膜层1、基板2、第二镀膜层3。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
实施例:
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