[实用新型]4640纳米带通红外滤光片有效
| 申请号： | 201220090994.7 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN202472020U | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 吕晶 | 申请（专利权）人： | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/20 | 分类号： | G02B5/20;B32B9/04;B32B15/00 |
| 代理公司： | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人： | 唐迅 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 4640 纳米 通红 滤光 | ||
1.一种4640纳米带通红外滤光片，包括以Si为原材料的基板(2)、以Ge、SiO为镀膜材料的第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为镀膜材料的第二镀膜层(3)，基板(2)位于第一镀膜层(1)和第二镀膜层(3)之间，其特征是第一镀膜层(1)包含由内到外依次排列185nm厚度的SiO层、168nm厚度的Ge层、206nm厚度的SiO层、111nm厚度的Ge层、286nm厚度的SiO层、89nm厚度的Ge层、346nm厚度的SiO层、121nm厚度的Ge层、232nm厚度的SiO层、100nm厚度的Ge层、308nm厚度的SiO层、190nm厚度的Ge层、419nm厚度的SiO层、125nm厚度的Ge层、480nm厚度的SiO层、261nm厚度的Ge层、260nm厚度的SiO层、164nm厚度的Ge层、567nm厚度的SiO层、152nm厚度的Ge层、227nm厚度的SiO层、241nm厚度的Ge层、566nm厚度的SiO层、52nm厚度的Ge层、396nm厚度的SiO层、381nm厚度的Ge层、1185nm厚度的SiO层、366nm厚度的Ge层、1043nm厚度的SiO层、428nm厚度的Ge层、947nm厚度的SiO层、445nm厚度的Ge层、497nm厚度的SiO层；第二镀膜层(3)包含由内到外依次排列的122nm厚度的SiO层、285nm厚度的Ge层、659nm厚度的SiO层、285nm厚度的Ge层、1318nm厚度的SiO层、285nm厚度的Ge层、659nm厚度的SiO层、285nm厚度的Ge层、659nm厚度的SiO层、285nm厚度的Ge层、1318nm厚度的SiO层、288nm厚度的Ge层、199nm厚度的SiO层、516nm厚度的Ge层、1355nm厚度的SiO层。
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