[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201220094076.1 申请日: 2012-03-13
公开(公告)号: CN202661758U 公开(公告)日: 2013-01-09
发明(设计)人: 邓检;李晓坤 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 张颖玲;迟姗
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,该阵列基板上形成有多个像素单元,所述像素单元中形成有薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极;其特征在于,该阵列基板包括:

基板;

位于所述基板上的栅极及栅极扫描线和数据扫描线;其中,所述数据扫描线成段分布且每段数据扫描线位于相邻两条栅极扫描线之间;

位于所述栅极及栅极扫描线和数据扫描线上层的栅极绝缘层;

位于所述栅极绝缘层上方且与所述栅极区域相对应的有源层和源/漏电极层;所述源/漏电极层包括所述源极和漏极,且所述源极与上下相邻的两段所述数据扫描线分别相接;

位于所述源/漏电极层上层且覆盖整个基板的钝化层;以及,

位于所述钝化层上层的公共电极层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极绝缘层上形成有过孔;所述源极通过栅极绝缘层过孔分别与上下相邻的两段数据扫描线电性连接。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述栅极绝缘层和所述钝化层之间形成有像素电极;该像素电极与所述薄膜晶体管的漏极相连。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极层为狭缝状的透明公共电极。

5.根据权利要求1至4中任一所述的阵列基板,其特征在于,所述数据扫描线与所述栅极及栅极扫描线采用相同材料制得。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层和/或所述栅极绝缘层的材料为树脂。

7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述钝化层和/或所述栅极绝缘层为毫米级的层结构。

8.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极及栅极扫描线采用的材料为铝钕合金或铜或铝。

9.一种显示装置,其特征在于,该显示装置包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。

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