[实用新型]一种调谐结构有效

专利信息
申请号: 201220096822.0 申请日: 2012-03-15
公开(公告)号: CN202474145U 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 王清源;谭宜成;莫坤山 申请(专利权)人: 成都赛纳赛德科技有限公司
主分类号: H01P1/00 分类号: H01P1/00
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 梁田
地址: 610000 *** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 调谐 结构
【权利要求书】:

1.一种调谐结构,其特征在于:包括金属空腔(1)、以及从金属空腔(1)外伸入金属空腔(1)内的支撑体(2)、以及设置在支撑体(2)伸入到金属空腔(1)内一端的介质体(3)。

2.根据权利要求1所述的一种调谐结构,其特征在于,所述支撑体(2)为柱状结构。

3.根据权利要求1所述的一种调谐结构,其特征在于,所述介质体(3)与支撑体(2)的交界面为平面。

4.根据权利要求1所述的一种调谐结构,其特征在于,所述介质体(3)与支撑体(2)之间还设置有薄金属片(4),并且介质体(3)、薄金属片(4)、支撑体(2)三者之间的交界面为互相平行的平面。

5.根据权利要求4所述的一种调谐结构,其特征在于,所述介质体(3)远离支撑体(2)的一面也设置有薄金属片(4)。

6.根据权利要求1所述的一种调谐结构,其特征在于,所述支撑体(2)在远离金属空腔(1)内部的一端设置有螺纹(7);支撑体(2)在远离金属空腔(1)内部的一端还设置有固定装置(5),所述支撑体(2)通过螺纹(7)与固定装置(5)配合,使得支撑体(2)在金属空腔(1)内上下移动调节,并由固定装置(5)固定。

7.根据权利要求1所述的一种调谐结构,其特征在于,在所述支撑体(2)与介质体(3)之间还设置有柱状金属台(6),所述柱状金属台(6)与支撑体(2)、介质体(3)的连接界面均为平面。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述一种调谐结构,其特征在于,所述支撑体(2)为导体或/和相对介电常数小于5的介质材料或/和相对导磁率小于5的介质材料。

9.根据权利要求1-7中任意一项所述一种调谐结构,其特征在于,所述介质体(3)的相对介电常数或/和相对导磁率大于30。

10.根据权利要求1-7中任意一项所述一种调谐结构,其特征在于,所述金属空腔(1)为开口的空腔或封闭的空腔。

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