[实用新型]一种曝光装置有效
| 申请号： | 201220098028.X | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN202453606U | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王耸;万冀豫;吴洪江 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1333 | 分类号： | G02F1/1333;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜;王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种曝光装置，适用于掩膜曝光工艺，其特征在于，包括：
曝光区域控制单元，用于界定曝光区域和非曝光区域；
光量调控单元，位于所述曝光区域控制单元的上方，用于调控通过所述曝光区域控制单元照射到所述曝光区域的光透过量。
2.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述光量调控单元包括：玻璃基板和TFT阵列基板，所述玻璃基板和TFT阵列基板之间设有隔垫物，所述玻璃基板和TFT阵列基板封装成盒，所述盒内注有液晶。
3.如权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述曝光单元为掩膜版。
4.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述玻璃基板上设有黑矩阵。
5.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述玻璃基板上形成有公共电极层，所述TFT阵列基板上形成有像素电极层。
6.如权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述TFT阵列基板上形成有公共电极层和像素电极层。
7.如权利要求2至6中任一项所述的曝光装置，其特征在于，所述玻璃基板的远离液晶的一侧设有透明导电层。
8.如权利要求1至6中任一项所述的曝光装置，其特征在于，所述光量调控单元的像素开口大于所述曝光区域控制单元的像素开口。
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