[实用新型]用于铁电随机存储器的灵敏放大电路

权利要求书

1.一种用于铁电随机存储器的灵敏放大电路，其特征在于包括：

两个PMOS管M1、M2，两NMOS管M3、M4，PMOS管M1的栅极与NMOS管M3的栅极相连接，PMOS管M2的栅极与NMOS管M3的栅极相连接，PMOS管M1的漏极连接到NMOS管M3的漏极，PMOS管M2的漏极连接到NMOS管M4的漏极，PMOS管M1的漏极和NMOS管M3的漏共同连接到位线BL，PMOS管M2的漏极和NMOS管M4的漏极共同连接到反位线BLn；

PMOS管M1与PMOS管M2的源极相连接后连接到PMOS管M5的漏极，PMOS管M5的源极连接电源Vdd，PMOS管M5的栅极连接使能信号端，NMOS管M3与NMOS管M4的源极共同连接到NMOS管M6的漏极，NMOS管M6的源极接地，NMOS管M6的栅极连接栅极使能信号端；

NMOS管M7、M8的栅极共同连接到位线预放电信号端，NMOS管M7、M8的源极共同连接然后接地，NMOS管M7的漏极连接到位线BL，NMOS管M8的漏极反位线BLn。

2.根据权利要求1所述的用于铁电随机存储器的灵敏放大电路，其特征在于还包括：

位线BL上连接负载电容Cb，反位线BLn连接负载电容Cbn，负载电容Cb、Cbn的另一端接地。

3.根据权利要求1或2所述的用于铁电随机存储器的灵敏放大电路，其特征在于：

当反相器中的2个PMOS管M1，M2的尺寸偏差为±5%时，即M1管子尺寸增大5%，M2管子尺寸减小5%，灵敏放大器正确放大的最小电压差为⊿V1=56 mV；

当反相器中的2个NMOS管M3, M4的尺寸偏差为±5%时，即M3管子尺寸增大5%，M4管子尺寸减小5%，灵敏放大器正确放大的最小电压差为⊿V2=75 mV。

4.根据权利要求1或2所述的用于铁电随机存储器的灵敏放大电路，其特征在于：

当反相器中的2个PMOS管M1，M2的阈值偏差为±0.05 V时，即M1的阈值增加0.05 V，M4的阈值减小0.05 V，灵敏放大器正确放大的最小电压差为⊿V4=56 mV；

当反相器中的2个NMOS管M3，M4的阈值偏差为士0.05 V时，即M3的阈值增加0.05 VM4的阈值减小0.05 V，灵敏放大器能正确放大的最小电压差为⊿V4=69 mV。

5.根据权利要求3所述的用于铁电随机存储器的灵敏放大电路，其特征在于：

当反相器中的2个PMOS管M1，M2的阈值偏差为±0.05 V时，即M1的阈值增加0.05 V，M4的阈值减小0.05 V，灵敏放大器正确放大的最小电压差为⊿V4=56 mV；

当反相器中的2个NMOS管M3，M4的阈值偏差为士0.05 V时，即M3的阈值增加0.05 VM4的阈值减小0.05 V，灵敏放大器能正确放大的最小电压差为⊿V4=69 mV。