[实用新型]一种新型MOCVD反应装置

权利要求书

1.一种MOCVD新反应装置，其特征在于本MOCVD反应装置包括电控装置（1）、混气装置（2）、倒置圆柱形反应腔（3）、与倒置圆柱形反应腔匹配的待送腔（4）与传送腔（5）、尾气处理装置（6）。

2.权利要求1所述的反应装置，其特征在于与倒置圆柱形反应腔匹配的待送腔（4）与传送腔（5），与反应腔大小、形状相同，并排列在同一直线上，待送腔（4）的出口与反应腔（3）的进口对应，反应腔（3）的出口与传送腔（5）的进口对应。

3.权利要求2所述的反应装置，其特征在于倒置圆柱形反应腔（3）、与倒置圆柱形反应腔匹配的待送腔（4）与传送腔（5），里面均设置有固定的传送轴。

4.权利要求3所述的反应装置，其特征在于待送腔（4）、传送腔（5）内传送轴，在进口端盖（41）处高于出口端盖（42）处；反应腔（3）内传送轴水平放置，待送腔（4）出口端的传送轴、传送腔（5）进口端的传送轴与反应腔（3）内的传送轴在同一水平上。

5.权利要求1所述的反应装置，其特征在于倒置圆柱形反应腔（3）内基座为与反应腔匹配的传送式基座（7），传送式基座（7）通过反应腔（3）、待送腔（4）、传送腔（5）内的传送轴，实现在反应腔、待送腔、传送腔内传送；用于喷淋气体的喷淋盘为旋转式喷淋盘。

6.权利要求5所述的反应装置，其特征在于传送式基座（7）背面带有电磁加热装置，对垒晶衬底实现电磁辐射加热。

7.权利要求5所述的反应装置，其特征在于传送式基座正面中间带有凸起部件的圆形凹槽，用于放置石墨载盘，石墨载盘其下面圆心部分有一个凹槽，放置石墨基座上凹槽的凸起上，使石墨载盘可在圆周方向外力的作用下围绕中心转动。

8.权利要求7所述的反应装置，其特征在于石墨载盘根据基座圆形凹槽的大小匹配，其上面有均匀分布的凹槽，凹槽的大小跟垒晶衬底片大小匹配，用于盛载垒晶衬底片。

9.权利要求5所述的反应装置，其特征在于转动式喷淋盘与石墨载盘等大，并与石墨载盘平行，喷淋盘出气口均匀密布于喷淋盘上，喷出的气体束除圆心处，其余的都不与石墨载盘垂直，在垒晶过程中喷淋盘处于水平方向上转动。

10.权利要求9所述的反应装置，其特征在于，垒晶过程中转动式喷淋盘转动的方向与石墨载盘转动的方向相反。

11.权利要求9所述的反应装置，其特征在于，在同一直径上的气体束喷淋到石墨载盘或衬底上也在同一直径上，且同一直径上相邻气体束出气口之间的距离与喷淋到石墨载盘或衬底上的距离相等；且同一圆周上的气体束喷淋到石墨载盘或衬底上也在同一圆周上，相邻两束气体束平行；并且每一束气体束都打在石墨载盘或衬底上。

12.权利要求9-11所述的反应装置，其特征在于，气体束与石墨载盘或衬底的角度除圆心处，小于90°，大于α，α=arc tan                                                。

13.权利要求12所述的反应装置，其特征在于，气体束与石墨载盘或衬底的角度除圆心处，大于或等于β，β=arc tan。

14.权利要求13所述的反应装置，其特征在于，气体束与石墨载盘或衬底的角度除圆心处，等于β，β=arc tan。

15.权利要求7-14所述的反应装置，其特征在于，石墨载盘表面除凹槽部位，其它部位均有凹形或凸形或凹凸形图形。