[实用新型]深沟槽超结结构的保护环有效
| 申请号： | 201220111606.9 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN202651111U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 陶有飞 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟 槽超结 结构 保护环 | ||
【权利要求书】：
1.一种深沟槽超结结构的保护环（200），位于半导体衬底上，其特征在于，包括：
竖向条状沟槽（201）；
横向条状沟槽（202），与所述竖向条状沟槽（201）竖直相接，构成一个或者多个环状沟槽；以及
外延材质（203），填充于所述竖向条状沟槽（201）和所述横向条状沟槽（202）内，将同一个所述环状沟槽的所述竖向条状沟槽（201）和所述横向条状沟槽（202）在所述半导体衬底中连接成连续的环；
其中，构成所述环状沟槽的所述竖向条状沟槽（201）与所述横向条状沟槽（202）的转角接口处彼此空开。
2.根据权利要求1所述的保护环（200），其特征在于，所述保护环（200）的所述环状沟槽有1~5个。
3.根据权利要求2所述的保护环（200），其特征在于，所述环状沟槽的所述竖向条状沟槽（201）和/或所述横向条状沟槽（202）的线宽尺寸，以及一个所述环状沟槽的所述竖向条状沟槽（201）和/或所述横向条状沟槽（202）与其平行相邻的其他环状沟槽的所述竖向条状沟槽（201）和/或所述横向条状沟槽（202）之间的沟槽间距根据所述深沟槽超结结构的电压、电流要求是可调整的。
4.根据权利要求3所述的保护环（200），其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
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