[实用新型]高稳定集成光学器件电极有效
申请号: | 201220113131.7 | 申请日: | 2012-03-23 |
公开(公告)号: | CN202533675U | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 向美华;薛挺 | 申请(专利权)人: | 北京浦丹光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/035 | 分类号: | G02F1/035 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100023 北京市经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稳定 集成 光学 器件 电极 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成光学器件,属于光纤通信、光纤传感、光学测试等领域。
背景技术
铌酸锂是一种具有很大电光系数、声光系数、非线性系数、热释电效应的晶体,因此得到广泛的应用,特别是在声表面波滤波器、光学频率变换、声光调制、电光调制等领域。
铌酸锂电光调制器通常由光波导、缓冲层、电极组成;其中光波导的制备工艺一般有质子交换、钛扩散、锌扩散等多种技术。电极的材料通常是黄金等高稳定金属。
由于铌酸锂晶体是各向异性材料,其在各个方向的热膨胀系数、压电效应、电光系数均不同;另外黄金电极的热膨胀系数与铌酸锂晶体相差很远。铌酸锂晶体的热膨胀系数:15.4ppm/K(‖a),5.3ppm/K(‖c);黄金的热膨胀系数14.2ppm/K(参考Handbook of Optics,Third Edition,Volume IV,Optical Properties of Materials,Nonlinear Optics,Quantum Optics)。因此,在平行于铌酸锂晶体光轴方向,即Z轴方向的热膨胀系数相差很大,达到8.9ppm/K。
对于较宽温度范围内的工作情况,其温度范围可以达到-45~+75摄氏度范围,由于热膨胀系数的不同,特别是对于采用X-切Y传铌酸锂基片的电光调制器,黄金电极在铌酸锂晶体表面,沿Z轴方向,即垂直于波导传播Y轴方向会产生较大的应力。
铌酸锂晶体本身具有的电光、弹光、压电等效应,这种应力会由于压电效应产生寄生电场,而且由于弹光效应会导致铌酸锂晶体局部的折射率发生变化。光波导在铌酸锂晶体的表面,特别是黄金等金属电极,或者引脚电极跨越波导表面的情况下,铌酸锂光波导的折射率分布会由于应力而产生较大变化。另外这种应力能够产生应力致双折射,在钛扩散波导中,会引起2个偏振分量之间的相互耦合,导致器件的性能降低。
在温度变化情况下,或者在极端温度条件下,铌酸锂光波导的折射率分布会影响到波导束缚光波的能力,如,紧束缚情况下会产生高阶模;弱束缚情况下会产生泄漏模,这2种情况都会导致波导的传播损耗发生变化,从而影响调制器的性能。
另外,压电效应产生的电势,会影响施加到调制器电极上的电场分布,影响调制器的工作状态,特别针对于模拟系统,如光纤传感、光学测量等应用情况。
传统的电光调制器,设计时没有考虑到上述机理,由此导致产品性能不稳定、性能不能够满足模拟应用等缺点,或者不能满足高精度、宽工作环境等条件下的应用;参考传统方案的专利:
a.专利名称:一种铌酸锂调制器及其制造方法,申请号:01140589.9;公开号:CN1417620;
b.专利名称:铌酸锂多功能集成光学器件,申请号:03236082.7;公开号:CN2615694;
c.专利名称:用于有线电视系统的铌酸锂电光调制器,申请号:200620121000.8;公开号:CN201007762。
实用新型内容
实用新型的目的是提供一种光学器件。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种光学器件,包括光波导(11)、电极(12)和引脚电极(13),电极(12)相对于所述光波导(11)中心对称设置,引脚电极(13)相对于光波导(11)的中心位置对称设置。
本实用新型的光学器件具有如下有益效果:
1.工作温度范围宽,机械振动稳定性好;
2.工艺容差大,工艺控制精度要求相对低很多;
3.利用这种电极设计技术,可以实现高稳定性相位调制器、强度调制器、高消光比光开关,高性能光衰减器,高性能电光偏振控制器等多种高端集成光学器件。
附图说明
本实用新型的其它特征、特点、优点和益处将通过以下结合附图的详细描述变得更加显而易见。其中:
图1是采用传统电极设计方案的I型相位调制器结构(X-切Y-传LiNbO3)。
图2是采用传统电极设计方案的I型相位调制器结构(Z-切Y-传LiNbO3)。
图3是采用传统电极设计方案的Y型相位调制器结构(X-切Y-传LiNbO3)。
图4是采用传统电极设计方案的Y型相位调制器结构(Z-切Y-传LiNbO3)。
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