[实用新型]成像装置有效
申请号: | 201220117378.6 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN202713478U | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 徐辰 | 申请(专利权)人: | 徐辰 |
主分类号: | H04N5/243 | 分类号: | H04N5/243;H04N5/355;H04N5/374 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;项荣 |
地址: | 215513 江苏省常熟*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 | ||
1.一种成像装置,其特征是,包括:
像素阵列,其包括排列成行和列的多个像素;所述像素阵列包括至少一组分裂像素;所述分裂像素具有相同颜色且彼此相邻;以及
控制电路,控制所述像素阵列,且所述控制电路控制所述至少一组分裂像素中每个分裂像素的曝光时间。
2.根据权利要求1所述的成像装置,其中:所述分裂像素是矩形的。
3.根据权利要求1所述的成像装置,其中:所述像素阵列包括相邻的第一组分裂像素和第二组分裂像素,其中两个相邻的所述分裂像素之间的距离小于所述第一组分裂像素和所述第二组分裂像素之间的距离。
4.根据权利要求1所述的成像装置,其中:所述分裂像素包括微距镜和光电二极管,所述微距镜和光电二极管设置在偏向分裂像素的一侧。
5.根据权利要求1所述的成像装置,其中:所述分裂像素包括微距镜层、色彩滤镜层、互连层和半导体层,其中所述色彩滤镜层在所述微距镜层和所述互连层之间,所述半导体层中所述互连层之下。
6.根据权利要求5所述的成像装置,其中:所述分裂像素包括半导体层中的光电二极管,其中两个相邻的所述分裂像素之间具有P阱和浅沟道隔离。
7.根据权利要求6所述的成像装置,其中:所述P阱经三次P阱注入形成,所述三次P阱注入的能量分别为大约150-260KeV、大约300-400KeV和大约500KeV。
8.根据权利要求7所述的成像装置,其中:所述浅沟道隔离的宽度为大约0.1-0.3um,所述P阱的宽度为大约0.25-0.55um,所述P阱的深度为2-5um。
9.一种成像装置,其特征是,包括:
像素阵列,其包括排列成行和列的多个像素;所述像素阵列包括至少一组分裂像素;以及
控制电路,控制所述像素阵列;其中,所述控制电路在第一曝光时间内对所述至少一组分裂像素中的第一分裂像素曝光,得出第一图像;所述控制电路在第二曝光时间内对所述至少一组分裂像素中的第二分裂像素曝光,得出第二图像;其中,所述控制电路进一步读取所述第一图像和所述第二图像。
10.一种成像装置,其特征是,包括:
像素阵列,其包括排列成行和列的多个像素;所述像素阵列包括至少一组分裂像素;
控制电路,控制所述像素阵列;其中,所述控制电路在第一曝光时间内对所述至少一组分裂像素中的第一分裂像素曝光,得出第一图像;所述控制电路在第二曝光时间内对所述至少一组分裂像素中的第二分裂像素曝光,得出第二图像;所述第一曝光时间不同于所述第二曝光时间;其中,所述控制电路进一步读取所述第一图像和所述第二图像;以及
图像处理器,其组合所述第一图像和所述第二图像。
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