[实用新型]一种高密度缓变场限环结构

权利要求书

1.一种高密度缓变场限环结构，该结构的中间为功率器件元胞区元胞阵列并联而成，而缓变场限环结构环绕于器件元胞区的四周，其特征在于：所述结构主要包括与各场限环(2)相对应的场板(3)以及一个截止环(4)，场限环(2)从器件元胞区(1)的边缘开始向截止环(4)依次排列；器件元胞区(1)包括栅氧化层(6)和多晶硅(7)，器件元胞区pbody(5)位于器件元胞区(1)内和边缘的硅片表面层；所述场板(3)的上部位于介质层(10)中，下部位于场氧化硅层(9)中；场氧化层(9)经刻蚀后留下环带状刻蚀槽，与元胞区栅氧化层(6)为同一制造层的栅氧化层(6)位于环带状刻蚀槽底部，所述场板(3)填满每个环带状刻蚀槽并延伸到刻蚀槽的两边的场氧化层表面之上，而且在外表面上延伸的部分比在里表面上大一些，底面与栅氧化层(6)相接触；每个环带状刻蚀槽的宽度从里向外是逐步减小的；相对应地，在每个环带状刻蚀槽下为半径不同的场限环(2)；场限环(2)为第二导电类型的掺杂区，与第一导电类型的衬底形成半圆形pn结，但与器件元胞区pbody(5)为不同制造层；场限环(2)包括主结环(2a)和从第1场限环(2b)-第n个场限环，主结环(2a)与器件元胞区pbody(5)相互重叠；所述场限环(2)之间的距离不等，从第1场限环(2b)向外，相邻的场限环(2)之间的距离依次增加，每个场限环(2)的半径依次减小，相邻场限环(2)的重叠度依次变小，最外的场限环(2)互相分离；所述截止环(4)位于结终端的最外围，由N+掺杂区(8)以及位于其上的金属层(11)所组成，两者通过接触孔相互连接，形成浮空的等电位截止环。

2.根据权利要求1所述的一种高密度缓变场限环结构，其特征在于：所述场板(3)由金属层和氧化层组成，而氧化硅层由场氧化硅层(9)和介质层(10)组成，场板(3)的金属层坐落在介质层(10)之上，并和每个场限环(2)一一对应并位于其上方；场板(3)的金属层(11)和场限环(2)之间没有多晶硅。

3.根据权利要求1所述的一种高密度缓变场限环结构，其特征在于：所述截止环(4)由第二导电类型的掺杂区与截止环深注入N+掺杂区(8)构成，该第二导电类型的掺杂区和器件元胞区p-body(5)为同一制造层，用此类截止环可省去pbody光罩；截止环区金属层(11)和该第二导电类型的掺杂区以及截止环深注入N+掺杂区(8)相互连接，形成浮空的等电位截止环。

4.根据权利要求1所述的一种高密度缓变场限环结构，其特征在于：所述缓变场限环结构采用主结环和其余6个场限环(2)时，最外的第5场限环(2f)和第6场限环(2g)之间不重叠。

5.根据权利要求1所述的一种高密度缓变场限环结构，其特征在于：所述缓变场限环结构采用主结环和其余8个场限环(2)时，最外的第6场限环(2g)、第7场限环(2h)和第8场限环(2i)相互之间不重叠，而且在外侧的间距依次增加。

6.根据权利要求1所述的一种高密度缓变场限环结构，其特征在于：所述缓变场限环结构采用主结环和其余10个场限环(2)时，最外的第7场限环(2h)、第8场限环(2i)、第9场限环(2j)和第10场限环(2k)相互之间不重叠，而且在外侧的间距依次增加。