[实用新型]一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器有效
| 申请号： | 201220124497.4 | 申请日： | 2012-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN202523770U | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李红霞;季振国;席俊华;牛犇 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 电阻 随机 读取 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于二氧化锡的电阻式随机读取存储器，其特征在于：该存储器由重掺硅衬底、二氧化锡薄膜、金属薄膜电极构成，二氧化锡薄膜位于重掺硅衬底、金属薄膜电极之间，重掺硅衬底作为电阻式随机读取存储器的下电极，金属薄膜电极作为电阻式随机读取存储器的上电极。
2.如权利要求1所述的电阻式随机读取存储器，其特征在于：重掺硅衬底的电阻率小于0.1Ω·cm。
3.如权利要求1所述的电阻式随机读取存储器，其特征在于：二氧化锡薄膜的厚度范围为10～100nm。
4.如权利要求1所述的电阻式随机读取存储器，其特征在于：金属薄膜电极为在温度100℃下呈固体的金属材料。
5.如权利要求4所述的电阻式随机读取存储器，其特征在于：所述的金属材料选用金、铂、铜、铝、钛或镍。
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