[实用新型]不间断浪涌稳压器有效
申请号: | 201220125932.5 | 申请日: | 2012-03-30 |
公开(公告)号: | CN202495758U | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 徐国栋;张鹏伟;国长霞;李童;罗晓艳;马丽丽;韩慧 | 申请(专利权)人: | 山东超越数控电子有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02;H02H9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250100 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不间断 浪涌 稳压器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种稳压器,具体地说是不间断浪涌稳压器。
背景技术
目前,军用车载环境比较恶劣,车载电源24V电压输出中掺杂着从数微妙到数百毫秒的电压尖峰。例如,寄生走线电感导致的负载阶跃将产生数微秒的电压尖峰,发动机电瓶输出24V时,会导致输出数百毫秒的高压浪涌,为了保护所用电子设备不受电压尖峰破坏的最普通的方法是电源隔离或使用串联的铁芯电感和高容值的电解旁路电容,但是这两种方法都非常占用空间,不易集成到便携式设备中,而且保护效果并不非常理想。
实用新型内容
本实用新型的技术任务是针对以上不足之处,提供一种具有过压保护和浪涌电流限制功能,适用于高可用性系统,体积小、效率高和可靠性高的不间断浪涌稳压器。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:包括浪涌抑制器、DC/DC稳压器、MOSFET管和外围电阻,浪涌抑制器连接控制MOSFET管、DC/DC稳压器和外围电阻,电压输入至浪涌抑制器,浪涌抑制器输出的电压经DC/DC稳压器后稳压输出。
浪涌抑制器采用凌力尔特公司的LT4356-1芯片。
DC/DC稳压器采用凌力尔特公司的LTM4607芯片。
MOSFET管采用N沟道的MOSFET管。
浪涌抑制器连续监视电流和电压,如果发生故障,就迅速断开负载通路 MOSFET管。电流和电压限制都由外部电阻设定,因此可以非常容易地改变限制值。通常,反馈电阻器可以任意大,以使输入电源直接短路到反馈电阻器的 MOSFET 管故障不会引起大的功耗。
本实用新型的不间断浪涌稳压器和现有技术相比,具有高额定输入电压保护和浪涌电流限制功能,在过压状态下可以把输出设定在一个用户设置的安全数值上,从而允许负载继续工作。其中4V至150V的宽输入电压范围,并且可以在不对自身或负载造成损坏的前提下提供低至-60V的反向输入保护,输出最高24V,最低0.8V的稳定电压,非常适合供电环境非常恶劣的系统。不间断浪涌稳压器取代了复杂和笨重的传统保护电路,尤其在过压瞬态时提供非常稳定的输出,允许存在高压和浪涌电流时连续工作,它的不间断供电是与传统保护电路的最大区别。
附图说明
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
附图1为不间断浪涌稳压器的结构框图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明。
本实用新型的不间断浪涌稳压器,其结构包括浪涌抑制器、DC/DC稳压器、MOSFET管和外围电阻,浪涌抑制器连接控制MOSFET管、DC/DC稳压器和外围电阻,电压输入至浪涌抑制器,浪涌抑制器输出的电压经DC/DC稳压器后稳压输出。
浪涌抑制器采用凌力尔特公司的LT4356-1芯片。
DC/DC稳压器采用凌力尔特公司的LTM4607芯片。
MOSFET管采用N沟道的MOSFET管。
浪涌抑制器是不间断浪涌稳压器的核心,它能够通过控制一个外部 N 沟道 MOSFET管 的栅极来实现把输出限制在一个用户设定的安全数值上,从而允许负载继续运作。本身能承受的最大电压为80V, 通过在输入端加一个TVS保护管SMAT70A使的最大能承受的电压为150V, 因此,不间断浪涌稳压器的输入电压范围为4V-150V。
浪涌抑制器输出的电压必须经DC/DC稳压器稳压后才能供给后级电路。LTM4607芯片输入电压范围为4.5V-36V,输出电压范围为可调的0.8V-24V。
本实用新型的不间断浪涌稳压器其加工制作非常简单方便,按说明书附图所示加工制作即可。
除说明书所述的技术特征外,均为本专业技术人员的已知技术。
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