[实用新型]一种双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置有效
| 申请号： | 201220134774.X | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN202643904U | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 倪代秦;吴星;赵岩;何丽娟;王雷;杨巍;马晓亮;李晋 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 感应 加热 物理 相传 生长 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置，包括保温筒，其特征在于：在所述保温筒内设有外坩埚，在所述外坩埚内设有内坩埚，内外坩埚同轴，单晶原料与籽晶位于内坩埚内。
2.根据权利要求1所述的双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置，其特征在于：所述内坩埚设有用于放置籽晶的埚盖。
3.根据权利要求1或2所述的双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置，其特征在于：所述的双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置适用于碳化硅或氮化铝。
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