[实用新型]一种组合式钼旋转溅射管形靶材有效

专利信息
申请号: 201220135308.3 申请日: 2012-04-01
公开(公告)号: CN202543308U 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 赵文普;王健 申请(专利权)人: 洛阳高新四丰电子材料有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 洛阳明律专利代理事务所 41118 代理人: 智宏亮
地址: 471000 河南省*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 组合式 旋转 溅射 管形靶材
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于靶材技术领域,主要涉及一种组合式钼旋转溅射管形靶材,应用于半导体、太阳能、平面显示器、光学玻璃等电子行业领域。

背景技术

随着电子信息产业的飞速发展,薄膜科学应用日益广泛,尤其是用于高新技术领域内溅射法加工太阳能光伏的薄膜涂层和平面显示行业的电极薄膜。溅射法是制备薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在真空中经过加速聚集,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。即可以简单理解为,溅射沉积薄膜的原材料即为靶材,是为阴极溅射系统中被溅射的材料。其中靶材的纯度越高、密度越高,其溅射沉积薄膜越均匀,靶材溅射率越高。由于现有技术中旋转溅射管形靶材为整体式结构,靶材尺寸越大,加工和生产工艺越困难,当旋转溅射管形靶材长度达到2000mm以上时,获得高纯、高致密、内部组织结构均匀细小的靶材非常困难,从而严重影响靶材成膜后薄膜的均匀性、电阻率、晶体生长的一致性等性能。故具有优异结构性能的整体烧结态大尺寸旋转溅射管形靶材的获得非常困难。

实用新型内容

为解决上述技术问题,本实用新型的目的是提出一种组合式钼旋转溅射管形靶材。

本实用新型为完成其发明任务采用如下技术方案:

一种组合式钼旋转溅射管形靶材,所述的钼旋转溅射管形靶材由两段管形靶材通过连接组合构成;其中管形靶材Ⅰ的一端具有接头,所述接头的前端具有外螺纹;所述的管形靶材Ⅱ的一端具有中心空腔,所述管形靶材Ⅱ一端的中心空腔具有与接头螺纹配合的内螺纹。      

本实用新型提出的一种组合式钼旋转溅射管形靶材,采用螺纹连接的两段管型靶材组合可使钼旋转溅射管形靶材达到所需长度,解决了现有技术中靶材尺寸越大,加工越困难的问题,具有结构简单,操作方便的特点。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为图1的A-A剖视图。

图中:1、管形靶材Ⅰ,2、管形靶材Ⅱ,3、接头。

具体实施方式

结合附图和具体实施例对本实用新型加以说明:

如图1、图2所示,一种组合式钼旋转溅射管形靶材,所述的钼旋转溅射管形靶材由两段管形靶材通过连接组合构成;其中管形靶材Ⅰ1的一端具有接头3,所述接头3的前端具有外螺纹;所述的管形靶材Ⅱ2的一端具有中心空腔,所述管形靶材Ⅱ2一端的中心空腔具有与接头3螺纹配合的内螺纹。

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