[实用新型]一种在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版有效
| 申请号： | 201220138441.4 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN202631948U | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 李文波;孙中元;邓简;武延兵 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜;王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 彩膜基板上 形成 对位 标记 掩膜版 | ||
1.一种在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版，其特征在于，包括至少两组对位标记，所述每组对位标记包括两个对位图形，所述对位图形的图案不同且设置于掩膜版相对的两侧。
2.如权利要求1所述的在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版，其特征在于，所述每组对位标记的两个对位图形中，一个对位图形设置于掩膜版的左侧，另一个设置于掩膜版的右侧。
3.如权利要求1所述的在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版，其特征在于，所述每组对位标记的两个对位图形中，一个设置于掩膜版的上侧，另一个设置于掩膜版的下侧。
4.如权利要求1所述的在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版，其特征在于，所述每组对位标记的两个对位图形中，一个对位图形设置于掩膜版的左上角，另一个设置于掩膜版的右下角。
5.如权利要求1所述的在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版，其特征在于，所述每组对位标记的两个对位图形中，一个对位图形设置于掩膜版的右上角，另一个设置于掩膜版的左下角。
6.如权利要求1所述的在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版，其特征在于，所述每组对位标记由大小和/或形状不同的两个对位标记组成。
7.如权利要求6所述的在阵列基板和/或彩膜基板上形成对位标记的掩膜版，其特征在于，所述每组对位标记中的两个对位图形，其中一个对位图形为空心图形，另一个对位图形为实心图形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201220138441.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：碳粉盒
- 下一篇：一种能将所有前置冷铁一次性装入冷激铸铁凸轮轴铸型的方法
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
