[实用新型]泡生法生长炉炉体

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种蓝宝石的生长炉，尤其是涉及一种泡生法生长炉炉体，属于蓝宝石技术领域。

背景技术

蓝宝石即AL₂O₃单晶体，具有熔点高、硬度高、导热性好、透过光波段宽、电绝缘性好、耐强酸强碱腐蚀等特点，因此作为重要的技术晶体材料，被广泛应用在国防、军事、科研等一系列高科技技术领域，同时在民用工业上也有大量的应用，如发光二极管、微电子电路、光学传感性、光波导器件及LED节能领域。

蓝宝石晶体的生产方法有三种：提拉法（柴氏拉晶法）、泡生法（凯式长晶法）和温度梯度法，这三种方法，泡生法有以下三方面的优势：一、晶体直径，泡生法可以生长出大直径的晶体，二、晶体方向，在大尺寸有方向性的蓝宝石生长泡生法有很大优势。三、晶体质量，泡生法生产系统拥有适合蓝宝石晶体生长的最佳温度梯度。在生长过程中或结束时晶体不与坩埚接触，大大减少了其热应力，可获得高质量的大晶体。由于泡生法含有以上诸多优点，所以泡生法占具了蓝宝石生产市场的70%的份额。

泡生法是将一根受冷的籽晶与熔体接触，如果界面的温度低于凝固点，则籽晶开始生长，为了能长出优质的晶体，这就需要最佳的温度梯度，对生长炉炉体的结构提出了很高的要求。泡生法生长炉包括炉体外壳，位于炉体外壳内的坩埚，位于坩埚上方的上保温屏，位于坩埚侧面的侧保温屏，位于坩埚下方的下保温屏，传统的侧保温屏和下保温屏均由3-8层厚度为0.5~2mm的钼板组成，侧保温屏的外侧还设有氧化铝陶瓷，下保温屏的下方还设有氧化铝耐火砖，由于氧化铝陶瓷或者氧化铝耐火砖等保温材料的熔化温度低于AL₂O₃的熔化温度，在晶体生长过程中会有杂质挥发出来，不利于晶体生长。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种利于晶体生长的泡生法生长炉炉体。

本实用新型的目的是这样实现的：

一种泡生法生长炉炉体，包括炉体外壳以及位于炉体外壳内的坩埚，所述坩埚的上方设有上保温屏，所述坩埚的外围设有侧保温屏，所述坩埚的下方设有下保温屏，所述侧保温屏和下保温屏均由8~25层钼板组成，所述钼板的厚度为0.5~5mm，所述下保温屏的下方还设有底部保温层，所述底部保温层为钼废料。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

本实用新型泡生法生长炉炉体的内部不含氧化铝陶瓷或者氧化铝耐火砖等保温材料，不存在热惯性，温度控制精确度高，可以设置最佳的温度梯度，上保温屏、侧保温屏和下保温屏均有钼板组成，钼的熔化温度约为2600℃，高于AL₂O₃的熔化温度，利于晶体生长，同时运行时的热功率比以前大大降低。

附图说明

图1为本实用新型泡生法生长炉炉体结构示意图。

其中：

炉体外壳1

坩埚2

上保温屏3

侧保温屏4

下保温屏5

底部保温层6。

具体实施方式

参见图1，本实用新型涉及一种泡生法生长炉炉体，包括炉体外壳1以及位于炉体外壳1内的坩埚2，所述坩埚2的上方设有上保温屏3，所述坩埚2的外围设有侧保温屏4，所述坩埚2的下方设有下保温屏5，所述侧保温屏4和下保温屏5均由8~25层钼板组成，所述钼板的厚度为0.5~5mm，所述下保温屏5的下方还设有底部保温层6，所述底部保温层6为钼废料。

本实用新型泡生法生长炉炉体的内部不含氧化铝陶瓷或者氧化铝耐火砖等保温材料，不存在热惯性，温度控制精确度高，可以设置最佳的温度梯度，上保温屏、侧保温屏和下保温屏均有钼板组成，钼的熔化温度约为2600℃，高于AL2O3的熔化温度，利于晶体生长，同时运行时的热功率比以前大大降低。