[实用新型]光学膜有效

专利信息
申请号: 201220152301.2 申请日: 2012-04-11
公开(公告)号: CN202583496U 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 吕俊麟 申请(专利权)人: 佑顺发机械有限公司
主分类号: G02B5/02 分类号: G02B5/02
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 王晶
地址: 中国台湾台中市西*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 光学
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种光学膜,特别涉及一种光线折射层构造的光学膜。

背景技术

按,本实用新型所指的光学膜,系指其表面具有光线折射构造,可应用于液晶显示器面板上达到使光点扩散的作用者;习知光学膜构造如图1所示,其通常由一透光片状的基材10表面形成若干齿形纹路11,其各单元齿形纹路11的断面概呈倒“V”形,复可于各齿形纹路11之间相对形成“V”形的折射面12,以使光线20穿过所述折射面12后,能够产生相互交错而达到聚光效果;惟,此种习知结构于实际应用上发现,其各齿形纹路11之间虽可通过“V”形折射面12令穿透的光线20达到两个折射面相互交错的聚光效果,但各单元齿形纹路11的顶端尖峰部位13则因为光线20均朝两侧散射而显现出光线较为暗沉的状态,如此而影响整体光学膜聚光的均匀度,更造成光学膜质量难以更进一步提升的问题点。

发明内容

针对现有技术存在的缺陷和不足,本实用新型的主要目的在于提供一种光学膜;

为达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案:

一种光学膜包括一透光片状基材以及设于该基材表面的光线折射层,该光线折射层具有若干齿形纹路,各单元齿形纹路之间形成“V”形的光线折射槽,其技术特点主要在于其各光线折射槽顶端的间更再形成有平面部。

本实用新型通过平面部的设置,令光线穿过光线折射层时,得利用所述平面部提增光线的扩散面积及聚光点,令光学膜的聚光效果达到更均匀、亮度更加提升的实用进步性。

附图说明

图1为习知光学膜的平面剖视及其光线折射状态示意图。

图2为本实用新型光学膜较佳实施例的结构剖视图。

图3为本实用新型光学膜的光线折射状态示意图。

图4为本实用新型光学膜结构型态的另一实施例图。

图5为本实用新型光学膜结构型态的又一实施例图。

具体实施方式

如图2、3所示,本实用新型光学膜A包括一透光片状的基材30以及设于该基材30表面的光线折射层40,该光线折射层40具有若干齿形纹路41,各单元齿形纹路41之间形成“V”形的光线折射槽42,该光线折射槽42的夹角可为90度,本实用新型的特征主要在于:所述各光线折射槽42顶端之间更再形成有平面部43。

其中,所述光线折射层40可设于基材30一侧表面;或者如图4所示的光学膜A2,基材30的二侧表面均设有光线折射层40。

又其中,如图5所示的光学膜A3,具有至少双层光线折射层40、40B相迭合构成的复合式结构。

通过上述的结构组成设计,兹就本实用新型的使用状态说明如下:

本实用新型的主要核心设计,在于所述光线折射层40的各光线折射槽42顶端之间更再形成有平面部43的创新独特设计,藉此,如图3所示,当光线50穿过光学膜A的光线折射层40时,除了透过各单元齿形纹路41间的“V”形光线折射槽42产生相互交错的聚光点L外,更可通过平面部43形成让光线50直接呈面状向外透出的光亮效果,藉以弥补前述各聚光点L之间光线的空缺区域,令光学膜A整体折射聚光效果更加地均匀和光亮。

功效说明:

本实用新型功效增进的事实如下:

本实用新型光学膜主要通过光线折射层40的各光线折射槽42顶端之间再形成有平面部43的创新独特设计,令光线穿过光线折射层42时,得利用所述平面部43提增光线的扩散面向,亦即,本实用新型光线折射层40的各单元齿形纹路41及光线折射槽42将可产生三个面向的聚光点,其中光线折射槽42可获得两个面向相互斜射交错的聚光点,而利用平面部43则可获得直向穿出的聚光面(习知结构仅为两个面向),藉此,俾可令光学膜的整体聚光效果达到更均匀、亮度更加提升的实用进步性,使光学膜成品得以因应目前更高分辨率液晶显示器的质量要求者。

另一方面,本实用新型通过光线折射层40的各光线折射槽42顶端之间再形成平面部43的创新独特设计,由于降低了齿形纹路41的高度(习知结构是尖形),又利用该平面部43提增光线的扩散面向及聚光点,因此本实用新型的光学膜将可通过较少的光线折射层40数量即达到较佳的聚光效果,俾可缩减光学膜的整体厚度,藉此可令光学膜达到更轻薄化的优点,或者从另一角度而言,可使光源强度不变的前提下达到提增亮度的优点者。

以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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