[实用新型]单晶晶棒垂直度测试仪

说明书

技术领域

本实用新型属于光伏行业，尤其涉及一种单晶晶棒垂直度测试仪。

背景技术

生产出来的单晶圆棒要切割成单晶方棒，然后切割成单晶硅片才能作为基础材料进一步加工成光伏电池，符合切割要求的单晶圆棒是有效加工的前提。由于在单晶晶棒生长过程中直径是在一定范围内变化的，因此硅棒外表直径是不规则的，如6寸硅棒的直径范围为153～158mm，8寸硅棒的直径范围为203～208mm，这就造成硅棒上下两个断面的圆心有偏差。如偏差过大则不符合加工要求，会造成加工后的部分硅片报废和硅片加工产能的浪费。随着晶棒长度的增加，这种偏差会更大。目前行业内仅有测试端面自身垂直度的工具，还没有专门测试单晶圆棒垂直度即上下端面圆心偏差数据的工具，因此需要开发结构简单、易于操作的工具来解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：基于上述问题，提供一种结构简单、易于操作的单晶晶棒垂直度测试仪。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种单晶晶棒垂直度测试仪，具有支架、透明平面板、平面镜和激光笔，透明平面板水平固定在支架上，透明平面板上标示出标示点，激光笔固定于支架上，激光笔的光束垂直于透明平面板并且穿过标示点，平面镜活动连接在支架上，激光笔和平面镜分别位于透明平面板的上方和下方。

进一步地，所述的支架由不锈钢管构成。

进一步地，所述的透明平面板为透明硬质塑料材质。

所述的单晶晶棒垂直度测试仪的测试方法，依次包括以下步骤：

第一步、标示出透明平面板的标示点、待测单晶晶锭上下端面的圆心；

第二步、打开激光笔，使得激光笔光束垂直于透明平面板并且穿过透明平面板的标示点；

第三步、将单晶晶锭放置于透明平面板上，观察平面镜反射的影像，调整单晶晶锭的位置，使单晶晶锭下端面的圆心与透明平面板的标示点重合；

第四步、用辅助工具卡尺测量单晶晶锭上端面上激光光点与圆心之间的距离L，如L小于等于标准值则单晶晶锭垂直度合格，反之则不合格。利用该值即可判定单晶晶锭垂直度的偏差，可以有效避免不符合企业要求的单晶晶锭流入硅片加工工序。

本实用新型的有益效果是：单晶晶棒垂直度测试仪结构简单紧凑，测试操作简单，使用方便。

附图说明

下面结合附图对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

其中：1.支架，2.透明平面板，3.平面镜，4.激光笔，5.标示点。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示的一种单晶晶棒垂直度测试仪，具有支架1、透明平面板2、平面镜3和激光笔4，透明平面板2水平固定在支架1上，透明平面板2上标示出标示点5，激光笔4固定于支架1上，激光笔4的光束垂直于透明平面板2并且穿过标示点5，平面镜3活动连接在支架1上，激光笔4和平面镜3分别位于透明平面板2的上方和下方。

支架1由不锈钢管构成，透明平面板2为透明硬质塑料材质。

单晶晶棒垂直度测试仪的测试方法，依次包括以下步骤：

第一步、标示出透明平面板的标示点、待测单晶晶锭上下端面的圆心；

第二步、打开激光笔4，使得激光笔4光束垂直于透明平面板2并且穿过透明平面板2的标示点5；

第三步、将单晶晶锭放置于透明平面板2上，观察平面镜3反射的影像，调整单晶晶锭的位置，使单晶晶锭下端面的圆心与透明平面板2的标示点5重合；

第四步、用辅助工具卡尺测量单晶晶锭上端面上激光光点与圆心之间的距离L，如L小于等于标准值则单晶晶锭垂直度合格，反之则不合格。利用该值即可判定单晶晶锭垂直度的偏差，可以有效避免不符合企业要求的单晶晶锭流入硅片加工工序。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。