[实用新型]N型太阳能电池组件及N型太阳能电池硅片有效
申请号: | 201220160711.1 | 申请日: | 2012-04-16 |
公开(公告)号: | CN202749377U | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 刘大伟;王红芳;李高非;胡志岩;熊景峰 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏晓波 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 组件 硅片 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,更具体地说,涉及一种N型太阳能电池组件及N型太阳能电池硅片。
背景技术
晶体硅太阳能电池已经被大规模应用到各个领域,其良好的稳定性和成熟的工艺流程是其大规模应用的基础。N型太阳能电池作为晶体硅太阳能电池的一种类型,其以N型直拉单晶硅为基体,硅片的背面是覆盖有SiO2和SINx双层钝化膜的硼扩散制备的P型发射结,硅片的正面是磷扩散制备的前表面场,前表面场上覆盖有起钝化和减反射作用的薄膜。
如图1所示,图1为现有技术中晶体硅太阳能电池生产工艺流程图。N型太阳能电池的生产时,首先需要对制作N型太阳能电池的硅片进行清洗,通过化学清洗的过程达到对硅片表面的结构化处理,然后将清洗后的硅片进行扩散工艺,P型硅片在扩散后表面变成N型,形成P-N结,此时对形成P-N结的硅片进行周边刻蚀工艺,以去掉在扩散工艺中在硅片边缘形成的导电层,然后经平板PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition-等离子体增强化学气相沉积法)工艺,即沉积减反射膜,印刷工艺和烧结工艺等制作得到符合要求的N型太阳能电池。
晶体硅太阳能电池经PECVD沉积减反射膜后转入印刷电极工序,在这个工序中主要完成电池正面电极、背面电极的印刷。N型太阳能电池表面电极包括主栅线和多条辅栅线,辅栅线与主栅线连接,辅栅线用于吸收由硅片光电转换后形成的光生载流子,并将光生载流子传递至主栅线,然后主栅线将传递到其上的光生载流子传递至外电路中。目前在N型太阳能电池大规模生产中普遍采用丝网印刷技术制作电极,印刷电极工艺是生产过程中比较重要的环节,电极的印刷质量直接影响N型太阳能电池的性能和转换效率。
丝网印刷技术主要采用制作好的丝网版,用一定的方法使丝网与待印刷的N型太阳能电池硅片的基片接触,使浆料在丝网上均匀流动,按照掩膜图形注入网孔,当丝网脱开基片时,浆料就以掩膜图像的形状从网孔转移到基片的相应位置上,完成浆料的图像印刷。
如图2所示,图2为现有技术中N型太阳能电池硅片上主栅线的结构图。主栅线1与多条辅栅线2的中部相导通,传统的N型太阳能能电池的主栅线1是通过一次印刷在N型太阳能电池硅片正面形成的一条长方形的主栅线1,主栅线1的设计主要使用实心结构,采用实心结构设计的主栅线1增加了浆料的使用,由于浆料的耗量在电池的生产成本中占有较大比例,因此增加了电池的生产成本。主栅线1采用实心结构的设计,也使得硅片上的一部分受光面积完全由主栅线覆盖,一定程度上降低了硅片的光电转换效率。
因此,如何实现减少N型太阳能电池硅片表面浆料的使用以降低成本,同时提高N型太阳能电池的光电转换效率,是目前本领域技术人员亟待解决的问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种N型太阳能电池组件及N型太阳能电池硅片,以实现减少N型太阳能电池硅片表面浆料的使用以降低成本,同时提高N型太阳能电池的光电转换效率。
为了达到上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种N型太阳能电池硅片,其上设置有主栅线和与所述主栅线相导通的多条辅栅线,所述主栅线上至少一部分为由多条传导栅线构成的栅线组。
优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,多条所述传导栅线平行分布。
优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,任何相邻的两条所述传导栅线之间的间距均相等。
优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,所述主栅线多条所述传导栅线构成。
优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,所述栅线组包括实心部和镂空部,所述镂空部与所述实心部沿所述主栅线的长度方向依次分布。
优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,所述镂空部由多条联接栅线平行分布后构成。
优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,任何相邻的两条所述联接栅线之间的间距均相等。
优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,所述主栅线由多个所述栅线组依次连接后组成。
优选地,在上述N型太阳能电池硅片中,所述主栅线的两个端部均设置为实心栅线。
一种N型太阳能电池组件,包括接线盒和与之相连的N型太阳能电池硅片,所述N型太阳能电池硅片为如上所述的N型太阳能电池硅片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的