[实用新型]一种高介电材料多孔结构电容有效
| 申请号： | 201220161667.6 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN202796464U | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 符建 | 申请（专利权）人： | 符建 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/86 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310012 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高介电 材料 多孔 结构 电容 | ||
【权利要求书】：
1.一种高介电材料多孔结构电容，其特征在于包括多孔金属高介电材料复合基板（1），低熔点金属介质（2），密封容器（3），正电极（4），负电极（5）；多孔金属高介电材料复合基板（1）是在泡沫金属骨架（6）表面上沉积一层或多层高介电材料（7）形成的多孔材料，多孔金属高介电材料复合基板（1）浸润在低熔点金属介质（2）中，并且被封装在密封容器（3）里，多孔金属高介电材料复合基板（1）与正电极（4）相连，导电液体介质（2）与负电极（5）相连，形成蓄积电能的电容器；所述的高介电材料（7）为BaTiO3或CaCu3Ti4O12高介电系数材料，或者两种材料交替叠加而成；所述的低熔点金属介质（2）是镓、铟、锌、锡、镁、铜或金一种或多种。
2.如权利要求1所述的一种高介电材料多孔结构电容，其特征在于所述的泡沫金属骨架（6）的材料为多孔泡沫态的铜、镍、钛或铝。
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