[实用新型]带低电压检测单元的脑电波检测仪

权利要求书

1.一种带低电压检测单元的脑电波检测仪，其特征在于包括：脑电波处理单元、第一传感器单元、第二传感器单元、第三传感器单元、信息处理单元、数据输出单元、低电压检测单元和接地单元；

第一传感器单元的输出端与脑电波处理单元的EEG电极连接；第二传感器单元的输出端与脑电波处理单元的REF电极连接；第三传感器单元的输出端与脑电波处理单元的接地电极连接；脑电波处理单元的数据输出端与信息处理单元的数据输入端连接；信息处理单元的第一数据输出端与数据输出单元连接；信息处理单元的信号与所述低电压检测单元连接；所述接地单元与所述脑电波处理单元的接地端连接；

所述第一传感器单元、第二传感器单元和第三传感器单元分别接收脑电波信号，脑电波信号经由脑电波处理单元解析、转换之后输出到所述信息处理单元，信息处理单元对输入的数据进行处理并将处理后的数据发送至数据输出单元；所述低电压检测单元实时地将系统电压值传送至所述信息处理单元，信息处理单元根据输入的电压值与预设的电压值进行比较，当输入的电压值小于系统预设电压值时，信息处理单元做出相应的系统提示；

所述脑电波处理单元为神念科技的TGAM1芯片。

2.根据权利要求1所述的带低电压检测单元的脑电波检测仪，其特征在于：所述信息处理单元的第二数据输出端与所述脑电波处理单元的配置数据输入端连接。

3.根据权利要求1所述的带低电压检测单元的脑电波检测仪，其特征在于：所述信息处理单元包括数字滤波降噪模块和分析运算模块；输入到信息处理单元的数据经过数字滤波降噪模块处理后输入到分析运算模块进行运算。

4.根据权利要求3所述的带低电压检测单元的脑电波检测仪，其特征在于：所述分析运算模块包括单片机或DSP。

5.根据权利要求1所述的带低电压检测单元的脑电波检测仪，其特征在于：还包括一U型本体；所述第一传感器单元位于U型本体的中部井且位于脑部上方；所述第二传感器单元和第三传感器单元分别位于U型本体的两端部。

6.根据权利要求5所述的带低电压检测单元的脑电波检测仪，其特征在于：所述U型本体的一端部具有容置盒体，该容置盒体内设有所述脑电波处理单元、信息处理单元、低电压检测单元和数据输出单元。

7.根据权利要求1所述的带低电压检测单元的脑电波检测仪，其特征在于：所述接地单元为一个耳夹式电极。

8.根据权利要求1所述的带低电压检测单元的脑电波检测仪，其特征在于：所述第一传感器单元、第二传感器单元和第三传感器单元为金属干电极传感器。