[实用新型]一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置

权利要求书

1.一种多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置，包括炬电源、引弧电源、气体供给系统、抽气系统、冷却水系统、真空反应室、设于真空反应室内的水冷基底支撑台和设于水冷基底支撑台正上方的离子体炬；所述等离子体炬固定在真空反应室上部盖板上，等离子体炬的阳极位于真空反应室内部，与下方的水冷基底支撑台相对；所述炬电源和引弧电源分别与等离子体炬相连；所述气体供给系统和抽气系统分别与等离子体炬和真空反应室相连；所述冷却水系统分别与水冷基底支撑台、等离子体炬和真空反应室的水冷夹层壁相连；其特征在于：所述等离子体炬为多个；所述多个等离子体炬并联接入炬电源和引弧电源；所述气体供给系统分别与各等离子体炬相连；所述抽气系统与真空反应室相连。

2.根据权利要求1所述的多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置，其特征在于：所述各等离子体炬与炬电源和引弧电源相连处均设有开关。

3.根据权利要求1所述的多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置，其特征在于：所述相邻等离子体炬之间设有隔板，且通过隔板将所述真空反应室隔开形成多个腔室；所述抽气系统分别与各腔室相连。

4.根据权利要求3所述的多炬等离子体喷射CVD法沉积超硬膜的装置，其特征在于：所述隔板为高熔点金属板或水冷金属板。