[实用新型]一种新型的GaN基发光二极管

说明书

技术领域：

本实用新型涉及一种新型的GaN基发光二极管。 

背景技术

当前，在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下，节约能源、减少温室气体排放成为全球共同面对的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济，将成为经济发展的重要方向。在照明领域，以LED(发光二极管)为代表的半导体发光产品，具有节能、环保，以及光源寿命长、体积小等优点，正吸引着世人的目光。 

目前氮化镓基发光二极管的常规结构如图1所示：包括衬底4、第一种N型半导体层1，控制发光波长的多量子阱层2，第二种P型半导体层3。多量子阱结构为InGaN/GaN的多周期循环结构，其中最后一个垒层与与前面的垒层为同样的结构。 

对于GaN基LED来说，载流子的发光再复合主要集中在最后一个阱里。对于常规结构的LED来说，阱垒层的晶格失配和热失配造成较强的压应变作用，直接的后果导致电子载流子泄漏出量子阱、空穴注入量子阱困难、极化电场增强等问题，从而影响内量子效率和电流效率。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种GaN基发光二极管，既能够提高器件的发光效率，又不影响器件的其它光电特性。 

为实现上述目的，本实用新型通过以下技术方案来实现的：提供一种新型的GaN基发光二极管，其中包括依次层叠的衬底、第一种半导体载流子注入层、多量子阱结构、多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)及第二种半导体载流 子注入层，所述的衬底可以是蓝宝石，碳化硅，或硅，所述多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)为一层或多层GaN类及其合金材料的外延结构。 

本实用新型所提供的上述新型发光二极管与其他的结构相比，在于对多量子阱的最后一个量子垒层做了改进，能有效地缓释多量子阱与P型层之间应力作用，改善空穴的注入效率，增加器件的内量子效率和电流效率，最终提高了发光二极管的发光效率。 

附图说明：

图1常规结构的GaN基发光二极管结构的剖面示意图。 

图2本实用新型的发光二极管的剖面示意图。 

图中：第一种N型半导体层1，控制发光波长的多量子阱层2，第二种P型半导体层3、包括衬底4、最后一个量子垒(LQB)5、常规GaN量子垒层10、常规InGaN量子阱层11 

具体实施方式

如图2所示，本实用新型发光二极管包括依次层叠的衬底4、第一种半导体载流子注入层1、多量子阱结构2、多量子阱结构的最后一个量子垒(LQB)5及第二种半导体载流子注入层3，所述衬底4是蓝宝石，碳化硅，或硅，所述最后一个量子垒(LQB)5为一层或多层GaN类及其合金材料的外延结构。 

本实用新型所提供的一种新型的GaN基发光二极管能够缓释多量子阱与P型层之间应力作用，改善空穴的有效注入，提高器件的内量子效率和电流效率。