[实用新型]具有过压保护的半导体器件及基于此器件的双向极性器件有效
| 申请号： | 201220168523.3 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN202585422U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 谢可勋;西里奥艾珀里亚科夫 | 申请（专利权）人： | 谢可勋;浙江美晶科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/06 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 赵卫康 |
| 地址： | 313000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 保护 半导体器件 基于 器件 双向 极性 | ||
1.一种具有过压保护的半导体器件，其特征在于，它包括 呈第一导电类型的衬底（9），
设于所述衬底（9）上部呈第二导电类型的第一区域（10），
设于所述第一区域（10）上部且呈第一导电类型的多个第二区域（11），
设于所述衬底（9）下表面且呈第二导电类型的第三区域（14），
连接于第一区域（10）、第二区域（11）的第一金属接触（15），
连接于所述第三区域（14）的第二金属接触（16）；
所述衬底（9）在与第一区域（10）的下表面交界处具有多个起伏区域（13）；每个所述起伏区域（13）都对应于相应的第二区域（11）之间。
2.根据权利要求1所述的一种具有过压保护的半导体器件，其特征在于，每个所述起伏区域（13）都对应位于相应的两个第二区域（11）之间的正中。
3.一种具有过压保护的双向极性半导体器件，其特征在于，它包括 呈第一导电类型的衬底（9），
设于所述衬底（9）上部且呈第二导电类型的第一区域（10），
设于所述衬底（9）下部且呈第二导电类型的第四区域（17），
设于所述第一区域（10）上部且都呈第一导电类型的多个第二区域（11），
设于所述第四区域（17）下部且都呈第一导电类型的多个第五区域（18），
连接于第一区域（10）、第二区域（11）的第一金属接触（15），
连接于第四区域（17）、第五区域（18）的第三金属接触（19）；
所述衬底（9）在与第一区域（10）的下表面交界处具有多个起伏区域（13）；所述衬底（9）在与第四区域（17）的上表面交界处具有多个凹陷区域（20）；每个所述起伏区域（13）都对应于相应的第二区域（11）之间；每个所述凹陷区域（20）都对应于相应的第五区域（18）之间。
4. 根据权利要求3所述的一种具有过压保护的双向极性半导体器件，其特征在于，每个所述起伏区域（13）都对应位于相应的两个第二区域（11）之间的正中；每个所述凹陷区域（20）都对应位于相应的两个第五区域（18）之间的正中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于谢可勋;浙江美晶科技有限公司，未经谢可勋;浙江美晶科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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