[实用新型]铸造装置有效
申请号: | 201220173345.3 | 申请日: | 2012-04-20 |
公开(公告)号: | CN202913085U | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 司荣进;袁志钟;王禄堡 | 申请(专利权)人: | 镇江环太硅科技有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 季萍 |
地址: | 212211 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铸造 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能多晶硅铸造技术领域,尤其涉及一种降低铸造多晶硅中碳含量的铸造装置。
背景技术
一直以来,能源始终是人类最为关注的焦点,传统能源如石油,天然气,煤矿等不可再生资源不断的消耗,储量急剧下降,同时,传统能源的使用也对全球环境也产生了负面的影响。
太阳能发电作为一种新能源方式逐渐走进了人们的生活。作为太阳能电池的基础材料硅晶片,其材质的光电转换效率直接影响这太阳能电池的发电功率,如何提高太阳硅晶片的转换效率,降低光衰减是各个光伏厂家亟待解决的问题。碳是铸造多晶硅中的一种主要的杂质,其基本的性质(包括分凝系数、固溶度、扩散系数、测量等)与直拉单晶硅是相同的。但是,由于铸造多晶硅的设备热场庞大而复杂,在晶体铸造或定向凝固过程中,石墨在加热器高温下存在大量的碳蒸发,会污染晶体硅,所以,铸造多晶硅中的碳含量偏高,严重影响了多晶硅片的质量。
实用新型内容
针对上述技术问题,本实用新型提供一种有效降低铸造多晶硅中碳含量的铸造装置。
本实用新型通过以下技术方案予以实现,一种铸造装置,包括坩埚和位于所述坩埚顶部及外侧的石墨护板,所述铸造装置包括钼板隔离层,所述钼板位于坩埚与石墨护板之间。
本实用新型通过在坩埚与石墨护板之间加入钼板隔离层,减少高温下石墨护板产生的碳蒸气进入坩埚内的硅晶体中;阻止高温状态下坩埚与石墨护板的反应;阻止回冲氩气时多晶管路中的杂质进入硅料。
作为本实用新型铸造装置的进一步改进,所述钼板厚度为0.5mm-5mm,外形与石墨护板外形一致且两者连接为一体,在实际操作时简单方便。
附图说明
附图为本实用新型铸造装置的钼板隔离层结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做出进一步说明。
根据钼板顶板1上安装孔位置,在石墨顶板相应位置加工安装孔,并去除打孔时残留在石墨顶板表面的石墨粉末,用石墨螺栓将钼板固定在石墨顶板上,用同样的方法将坩埚的四周侧面的石墨护板用钼板侧板2包裹起来,在装炉前,用无尘布擦拭钼板表面,去除所粘 的灰尘,将装有硅料、石墨护板和钼板隔离层的石英坩埚投入多晶炉中。
所述坩埚中的硅料以不接触到钼板为限,这样可防止高温下钼板不被硅料所熔蚀损坏。钼板的厚度以0.5mm-5mm为佳。
以上实施例的描述较为具体、详细,但并不能因此而理解为对本专利范围的限制,应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。
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