[实用新型]具有高导热系数致冷芯片的冷热交换装置有效

专利信息
申请号: 201220175260.9 申请日: 2012-04-23
公开(公告)号: CN202562127U 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 林义民 申请(专利权)人: 林义民
主分类号: F25B21/04 分类号: F25B21/04
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 导热 系数 致冷 芯片 冷热 交换 装置
【权利要求书】:

1.一种具有高导热系数致冷芯片的冷热交换装置,其特征在于,该交换装置包括:

具有冷端面及热端面的致冷芯片,包括:

第一氮化铝层及第二氮化铝层;

第一金属薄膜及第二金属薄膜,该第一金属薄膜披覆在该第一氮化铝层上,该第二金属薄膜披覆在该第二氮化铝层上;

第一铜箔层及第二铜箔层,该第一铜箔层形成在该第一金属薄膜上,该第二铜箔层形成在该第二金属薄膜上;以及

多数个P型半导体及多数个N型半导体,交互排列且固定在该第一铜箔层及该第二铜箔层之间,其中,该第一氮化铝层及该第二氮化铝层对应位于该P型半导体及该N型半导体的相对侧;

第一传导模块,包含贴接在该致冷芯片的冷端面上的第一基座、固定在该第一基座的两个以上第一鳍片、及装置在该第一鳍片上的第一风扇;以及

第二传导模块,包含贴接在该致冷芯片的热端面上的第二基座、固定在该第二基座的两个以上超导管、套接在该超导管上的两个以上第二鳍片、及装置在该第二鳍片上的第二风扇。

2.如权利要求1所述的具有高导热系数致冷芯片的冷热交换装置,其特征在于,所述致冷芯片还包括第一焊锡层及第二焊锡层,该第一焊锡层涂布在所述第一铜箔层上,该第二焊锡层涂布在所述第二铜箔层上,所述P型半导体及所述N型半导体结合在该第一焊锡层及该第二焊锡层上。

3.如权利要求1所述的具有高导热系数致冷芯片的冷热交换装置,其特征在于,所述第一金属薄膜及所述第二金属薄膜分别为钛薄膜。

4.如权利要求1所述的具有高导热系数致冷芯片的冷热交换装置,其特征在于,该交换装置还包括相互罩合的前导风罩及后导风罩,该前导风罩具有对应所述第一风扇的前入风口及对应所述第一鳍片的前出风口,该后导风罩具有对应所述第二风扇的后入风口及对应所述第二鳍片的后出风口。

5.如权利要求4所述的具有高导热系数致冷芯片的冷热交换装置,其特征在于,该交换装置还包括上支撑座及下支撑座,该上支撑座框罩所述第一传导模块以使该第一传导模块固定在所述前导风罩上,该下支撑座框罩所述第二传导模块以使该第二传导模块固定在所述后导风罩上。

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