[实用新型]一种吸收电容结构有效
| 申请号： | 201220182743.1 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN202616046U | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 金红旗;李彦栋;黎捷勇 | 申请（专利权）人： | 美的集团有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/38 | 分类号： | H01G4/38;H01G4/224;H01G4/236 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 528311 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 吸收 电容 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种吸收电容结构，其特征在于，其为两个一体化封装结构的电容，且设有能与IGBT管脚一一对应分别直接连接的端子。
2.根据权利要求1所述的吸收电容结构，其特征在于，所述电容包括第一电容芯子（14）、第二电容芯子（15）、第一端子（11）、第二端子（12）和第三端子（13），所述第一端子（11）通过焊点（143）与第一电容芯子（14）的下端面相连；第二端子（12）通过焊点（153）与第二电容芯子（15）的下端面相连；第三端子（13）分别通过焊点（142、152）与第一电容芯子（14）的上端面、第二电容芯子（15）上端面相连。
3.根据权利要求1或2所述的吸收电容结构，其特征在于，所述电容通过填充物（17）灌封于电容外壳（16）中，所述端子从电容外壳（16）中引出。
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