[实用新型]一种音频功率放大电路芯片有效
申请号: | 201220185212.8 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN202565227U | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 刘仁志 | 申请(专利权)人: | 大连科发传感器有限公司 |
主分类号: | H03F1/52 | 分类号: | H03F1/52;H03F3/20 |
代理公司: | 大连星海专利事务所 21208 | 代理人: | 王树本 |
地址: | 116023 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 音频 功率 放大 电路 芯片 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种芯片,特别涉及一种音频功率放大电路芯片。
背景技术
目前,家庭影院、汽车音响、高档电视机等音响设备中的功率放大器芯片普遍存在芯片发热多,表面温度高、谐波失真大、噪音大等问题。
发明内容
为了解决上述现有技术中存在的问题,本实用新型目的是提供一种低失真高品质的音频功率放大电路芯片VG2050。
本实用新型采用的技术方案是:一种音频功率放大电路芯片,其特点在于:一种音频功率放大电路芯片,它主要包括前级放大器、中间放大级、输出驱动电路、温度保护电路(TSD)及短路保护电路。所述前级放大器分别与输入信号、中间放大级连接;所述中间放大级分别与温度保护电路(TSD)、输出驱动电路连接;所述输出驱动电路与短路保护电路连接。
所述前级放大器主要是由晶体管Q4、Q5及有源负载组成的差分放大器,其中Q4、Q5发射极分别通过电阻R2、R3与Q1集电极连接,Q1发射极通过电阻R1与正电源供电电压VCC连接,Q4、Q5集电极分别与Q7、Q8集电极连接;Q4、Q5基极分别与IN(-)端、IN(十)端连接;Q7、 Q8基极相连接,Q7、Q8发射极分别通过电阻R4、R5与负电源供电电压VEE连接。
所述中间放大级主要由晶体管Q32、Q33组成,其中Q32、Q33基极相连接,Q32、Q33发射极分别通过电阻R27、R28与负电源供电电压VEE连接;Q32集电极通过电阻R25与Q38发射极连接,Q38基极连接温度保护电路、Q38、 Q23集电极相连接并通过R21与正电源供电电压VCC连接。
所述温度保护电路(TSD)主要由Zener管D5、热开关管Q98组成,Q98发射极、基极分别通过电阻R59、R58与负电源供电电压VEE连接,Q98集电极通过电阻R52、R55与正电源供电电压VCC连接;D5一端与负电源供电电压VEE连接、另一端与Q99基极连接。
所述输出驱动电路主要由Q50、Q51、Q52、Q53组成,其中Q50发射极、Q51集电极均与正电源供电电压VCC连接,Q50集电极通过电阻与Q51基极连接、Q51发射极与Q53集电极连接,Q53发射极与负电源供电电压VEE连接,Q53基极与Q52集电极连接;Q50与Q52采用浓硼材料制成的LPNP管。
所述短路保护电路主要由Q60-Q64及R50、R51组成,其中Q60发射极通过电阻R50与正电源供电电压VCC连接,Q60集电极与Q61集电极连接、Q61发射极通过电阻与负电源供电电压VEE连接,Q62发射极通过电阻R51与Q63发射极连接、Q63基极与Q62基极连接、Q62集电极与Q64集电极连接、Q64发射极通过电阻与负电源供电电压VEE连接。
本实用新型有益效果是:一种音频功率放大电路芯片,它主要包括前级放大器、中间放大级、输出驱动电路、温度保护电路(TSD)及短路保护电路;所述前级放大器分别与输入信号、中间放大级连接;所述中间放大级分别与温度保护电路(TSD)、输出驱动电路连接;所述输出驱动电路与短路保护电路连接。本实用新型VG2050在正、负18V电源、8欧姆负载下其输出功率可达到18W;在正、负22V电源、8欧姆负载下其输出功率可达到25W,而且需要外接的元器件少、芯片内部具有过流、过热、晶体管安全工作区等保护功能,输出驱动级采用LPNP管,保证在大电流下工作时,具有发热低、效率高、失真小、输出功率大等优点,特别适合音响和高档电视机的场合。
附图说明
图1是本实用新型VG2050原理框图。
图2是前级放大器原理电路图。
图3是中间放大级原理电路图。
图4是温度保护电路(TSD)原理电路图。
图5是输出驱动及短路保护原理电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
如图1所示, 本实用新型VG2050主要包括前级放大器、中间放大级、输
出驱动电路、温度保护电路(TSD)及短路保护电路;音频信号从前级放大器输入端加进去、经前级放大器放大后的音频信号从前级放大器输出送至中间放大级进行放大,经中间放大级放大后的音频信号从中间放大级输出送至输出驱动级进行功率放大、经输出驱动级放大后的音频信号从输出驱动级输出送至音响设备发出声音。
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