[实用新型]一种新型宽幅遮阳材料有效

专利信息
申请号: 201220185479.7 申请日: 2012-04-26
公开(公告)号: CN202934858U 公开(公告)日: 2013-05-15
发明(设计)人: 励征 申请(专利权)人: 蒙特集团(香港)有限公司
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B15/04
代理公司: 北京市惠诚律师事务所 11353 代理人: 王美华
地址: 中国香港告士打道*** 国省代码: 中国香港;81
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 宽幅 遮阳 材料
【权利要求书】:

1.一种新型宽幅遮阳材料,由基材膜及在基材膜上依次顺序沉积的电介质膜层、金属膜层、电介质膜层、掺杂VO2膜层、电介质膜层组成。

2.一种新型宽幅遮阳材料,由基材膜及在基材膜上依次顺序沉积的掺杂VO2膜层、电介质膜层、金属膜层、电介质膜层组成。

3.一种新型宽幅遮阳材料,由基材膜及在基材膜上依次沉积的电介质膜层、金属膜层、电介质膜层、金属膜层、掺杂VO2膜层、电介质膜层组成。

4.权利要求1至3任一项所述的宽幅遮阳材料,其特征是基材膜是厚度8um-100um,宽度1000mm-2500mm的柔性连续卷材,材质选自各种塑料薄膜或者非金属材料编织物。

5.权利要求1至3任一项所述的宽幅遮阳材料,其特征是金属膜材质选自银、铜、金、铝、镍、锌、钼、钛、铬、锡、铂、钨、钯、钒、钽、铟中的一种,每层膜的厚度5nm-250nm。

6.权利要求1至3任一项所述的宽幅遮阳材料,其特征是电介质膜层材质选自金属氧化物、金属硫化物、金属硼化物、金属碳氮化物、金属氮化物的一种,电介质膜层沉积厚度2nm-200nm。

7.权利要求1至3任一项所述的宽幅遮阳材料,其特征是掺杂金属选自金、银、钨、钼、铜、铝或钛,掺杂VO2膜的沉积厚度在2nm-50nm。 

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