[实用新型]半导体发光二极管器件

权利要求书

1.一种半导体发光二极管器件，包括：

有源层；

P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；

与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；

与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；

其特征在于，所述正电极焊接层和/或负电极焊接层的材料为铝合金材料。

2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，所述N型半导体层为N型掺杂的III-V族化合物半导体层，所述P型半导体层为P型掺杂的III-V族化合物半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，所述正电极焊接层和负电极焊接层位于所述半导体发光二极管器件的同侧或者异侧。

4.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，还包括：位于所述P型半导体层上并与其接触的扩展电极层，所述正电极焊接层位于所述扩展电极层上并与其接触。

5.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，还包括：位于所述P型半导体层上并与其接触的扩展电极层，位于所述扩展电极层上并与其接触的正电极接触层，所述正电极焊接层位于所述正电极接触层上并与其接触。

6.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，还包括：位于所述P型半导体层上并与其接触的扩展电极层，位于所述扩展电极层上并与其接触的正电极接触层，位于所述正电极接触层上并与其接触的正电极过渡层，所述正电极焊接层位于所述正电极过渡层上并与其接触。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，还包括：位于所述N型半导体层上并与其接触的负电极接触层，所述负电极焊接层位于所述负电极接触层上并与其接触。

8.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，还包括：位于所述N型半导体层上并与其接触的负电极接触层，位于所述负电极接触层上并与其接触的负电极过渡层，所述负电极焊接层位于所述负电极过渡层上并与其接触。

9.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，所述有源层的平面面积大于100平方毫英寸。

10.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，所述有源层的平面面积大于300平方毫英寸。

11.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，所述有源层的平面面积选自576平方毫英寸、800平方毫英寸、1444平方毫英寸、1600平方毫英寸、2025平方毫英寸、3600平方毫英寸。

12.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，所述半导体发光二极管器件的工作电流大于20mA小于1A。

13.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，所述半导体发光二极管器件的工作电流为350mA、500mA、500mA或1A的正向工作电流。

14.根据权利要求1所述的半导体发光二极管器件，其特征在于，所述正电极焊接层和负电极焊接层的厚度为0.1～10μm。