[实用新型]半导体装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体装置，特别涉及交错状的外部引线结构。

背景技术

近年来，通过树脂等封装了半导体元件的半导体装置，由于要应对针对高集成化、多功能化的高要求，因此存在担当与安装基板的电连接的外部引线的根数增加的、所谓的多引脚化的倾向。

另一方，对于电子设备的小型化、高性能化的要求也高，与此呼应在安装基板上，也正在推进窄节距化等插入安装技术的提高。例如，关于用于与半导体装置进行电连接的安装基板的孔，将多列配置为彼此不同的交错状。

作为现有技术公知有，在半导体装置中，也为了窄节距化，将引线形成为交错状。例如，根据与引线弯曲装置有关的专利文献1，能够使用具有弯曲辊的引线弯曲装置，将引线弯曲为交错状(参照图4)。

另外，根据专利文献2，在具有与DIP(Dual Inline Package)型的2个外部引线的配置同样排列的、3列以上的外部引线的配置的半导体装置中，能够通过使内侧的外部引线的长度比外侧的外部引线长，从而在插入到安装基板时，首先一边修正内侧的外部引线一边插入到正确的位置，之后一边修正外侧的外部引线一边插入到正确的位置(参照图5)。

进而，根据与引线强度提高有关的专利文献3，在弯曲形成为交错状，具有距树脂封装体侧面的距离长的外部引线和短的外部引线的半导体装置中，通过使长外部引线的宽度比短外部引线的宽度宽，从而能够增加引线强度，减少引线变形。另外，通过部分地改变长外部引线的宽度，从而能够使长外部引线和短外部引线的焊接状态均匀(参照图6)。

【专利文献1】日本特开昭47-25791号公报

【专利文献2】日本特开昭61-049447号公报

【专利文献3】日本特开平11-135702号公报

在使用了处理大的电压和电流的电力用半导体元件的半导体装置中，一般需要使流过大电流的外部引线加粗。另一方面，为了实现安装基板的高密度安装化(窄节距化)，期望基板孔的大小尽可能小，均匀地配置。

在上述专利文献1及上述专利文献2所示的现有技术中，形成为交错状的外部引线的粗细一样。但是，当为了流过大电流而使外部引线加粗时，基板孔也需要加大，存在妨碍窄节距化的问题。

另外，在上述专利文献3所示的现有技术中，在形成为交错状时，虽然长外部引线为了提高强度而加粗，但是短外部引线不粗。但是，在使用了电力用半导体元件的半导体装置中，为了流过大电流，需要与外部引线的长度无关地加粗，在现有技术中存在在短外部引线中不能流过大电流的问题。

在如上所述的现有技术中，存在不能用窄节距来配置流过大电流的外部引线的问题。

实用新型内容

因此，本实用新型是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，按照窄节距配置流过大电流的外部引线。

为了解决上述问题，本实用新型具有如下所述的结构。本实用新型的半导体装置，其将多个外部引线形成为交错状，该半导体装置的特征在于，外部引线具有粗部、弯曲部、变更部和插入部，形成了粗部后的从弯曲部到变更部的长度均匀。另外，其特征在于，在从树脂封装体侧面导出了3根以上的外部引线中，两端的外部引线的变更部相比于内侧的外部引线，从弯曲部到变更部的长度更长。

本实用新型能够提供按照窄节距配置流过大电流的外部引线的半导体装置。

附图说明

图1是本实用新型的实施例1的半导体装置1的立体图。

图2是本实用新型的实施例1的半导体装置1的外部引线4a的放大图。

图3是本实用新型的实施例1的半导体装置1的外部引线4b的放大图。

图4是现有例1的半导体装置的立体图。

图5是现有例2的半导体装置的立体图。

图6是现有例3的半导体装置的立体图。

图7是实施例2的半导体装置的立体图。

图8是实施例3的半导体装置的立体图。

图9是变形例1的半导体装置的变更部的放大图。

图10是变形例2的半导体装置的变更部的放大图。

符号说明

1：半导体装置；2：树脂封装体；3：树脂封装体侧面；4：外部引线；4a：外部引线(从弯曲部到变更部的长度长)；4b：外部引线(从弯曲部到变更部的长度短)；5：粗部；6：弯曲部；7：变更部；7a：变更部(变形例1)；7b：变更部(变形例2)；8：插入部；9：安装基板；10：焊锡；11：电力用外部引线；12：控制用外部引线；13：变更部高度；14：基板孔。

具体实施方式