[实用新型]一种过流保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电源技术领域，具体涉及一种过流保护电路。

背景技术

过流保护电路是一种可以在流经负载电流过大的情况下对负载进行保护的一种电路。在电源技术领域，尤其是在稳压电源电路和充电电路中，流经负载的电流过大，有可能会烧坏电源或者负载，因此，在电路设计必须考虑过流保护。

在现有技术中，主要采用监测流经负载的电流，经取样电阻，将电流信号转变为电压信号，在将此电压值与标准电压值进行比较，若超出则关断电源开关，此种实现方式的电路结构相对复杂。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种过流保护电路，用于提供一种结构简单、成本低、稳定性好的过流保护电路。

为实现上述目的，本实用新型的技术方案为：

一种过流保护电路，包括电流监控电路和钳位开关电路，所述电流监控电路进一步包括第一电阻、第二电阻和三极管，所述钳位开关电路进一步包括MOS开关管、稳压管和第三电阻，所述电流监控电路用于监测电流，当电流超过阈值时，所述钳位开关电路关断MOS开关管，从而切断电源供电，当电流恢复在正常范围以内，钳位开关电路导通MOS开关管，恢复电源正常供电。

优选地，所述电流监控电路的第一电阻的一端与三极管的发射极连接，第一电阻的另一端与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端与三极管基极连接，三极管的集电极经第三电阻与地连接。

优选地，所述的三极管选用PNP型三极管。

优选地，所述钳位开关电路的MOS开关管的源极与稳压管的负端连接，所述MOS开关管的栅级与稳压管的正端连接，并共同与第三电阻的一端连接，第三电阻的另一端与地连接，MOS开关管的漏极经二极管与负载连接。

优选地，所述MOS开关管选用P型MOS开关管。

通过采用以上技术方案，本实用新型的有益效果是：

(1)采用硬件实现过流保护，简化了电路设计，提高电路可靠性。

(2)采用MOS管作为开关元件，提高了开关切换的响应速度。

附图说明

图1是本实用新型实施例过流保护电路的原理框图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

相反，本实用新型涵盖任何由权利要求定义的在本实用新型的精髓和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。进一步，为了使公众对本实用新型有更好的了解，在下文对本实用新型的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本实用新型。

参见图1，本实用新型实施例的过流保护电路100包括电流监控电路101和钳位开关电路102，其中电源200经过流保护电路100给负载300供电。当流经负载300电流超过阈值时，切断电源供电，即关断MOS开关管M1，避免烧坏电源或者负载的情况发生，当电流在正常范围内，又接通电源，即导通MOS开关管M1，给负载正常供电。

第一电阻R1、第二电阻R2和三极管T1组成电流监控电路101，第一电阻R1的一端与三极管T1发射极连接，第一电阻R1的另一端与第二电阻R2的一端连接，第二电阻R2的另一端与三极管T1的基极连接，三极管T1的集电极经第三电阻R3与地连接，三极管T1选用PNP型三极管，其工作原理如下，假设流过R1的电流为I，流过R2的电流为i，则三极管T1的发射极和基极之间的电压V_be＝R1*I+R2*i，根据PNP三极管的导通原则，当V_be大于0.7V时，T1导通。由于i为基极电流，一般为发射极电流的百分之一，为了简化计算，在此忽略不计，则当R1*I≈0.7V时，T1导通，I即为流经负载的电流，因此可以调节R1的电阻值，调节过流保护阈值，比如R1选用1Ω的电阻，则I≈0.7/1＝700mA，所以当电流大于700mA时，T1导通。