[实用新型]一种蓝光LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光二极管（LED），具体涉及蓝光LED芯片。

背景技术

LED是一种能够将电能转化为光能的半导体。LED以其寿命长、光效高、抗震性能好不易破损、无辐射与低功耗等传统光源无法与之比较的优点而被广泛应用于照明领域。

目前，蓝光LED芯片的开发获得了长足的进展，例如在很多家庭、机构、政府和工业应用中都得到了广泛的应用，具有开阔的市场空间。

在蓝光LED芯片的传统固晶工艺中，蓝光芯片底部的金属反射层是平整的，固晶胶需要覆盖至芯片三分之一高度处（如图1所示），才能达到所需固晶强度，上述固晶强度是指芯片推力大于等于100克，其使用的固晶胶可以是硅胶，银胶或环氧树脂。上述方案需要将固晶胶覆盖至芯片三分之一高度，而芯片的四周也会发出光，这样的固晶工艺会遮挡一部分芯片发出的光，降低了蓝光LED芯片的出光率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提高蓝光LED芯片出光率，减少固晶胶，以解决背景技术中的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型的实现思路是将蓝光LED芯片的金属反射层粗化，增加其附着力，这样只需要芯片底部与支架之间填充固晶胶即可达到所需固晶强度，而芯片四周不再需要固晶胶，从而提高了出光效率。

本实用新型的一种蓝光LED芯片，包括金属反射层、衬底、n-GaN层和p-GaN层，所述金属反射层设置于衬底下，所述n-GaN层设于衬底上，所述p-GaN层设于n-GaN层上，所述p-GaN层还设有p电极，所述n-GaN层设有n电极。其中，所述金属反射层的下表面是粗糙的，密集散布有多个凹坑。

进一步的，金属反射层的下表面的凹坑的大小范围是：深度0.2um-0.25um，直径0.2um-0.25um。

进一步的，金属反射层的厚度的范围是3um-4um。

优选的，金属反射层的厚度是3.5um。

进一步的，所述衬底是蓝宝石衬底。

本实用新型采用了上述技术方案，将芯片底部的金属反射层粗化，这样只需要芯片底部与支架之间填充固晶胶即可达到所需固晶强度，固晶强度是指芯片推力大于等于100克，而芯片四周不再需要固晶胶，从而提高了出光效率。

附图说明

图1是现有技术的传统固晶工艺中的蓝光芯片所需固晶胶的示意图。

图2是本实用新型一种蓝光LED芯片的结构示意图。

图3是使用本实用新型的结构后的蓝光芯片所需固晶胶的示意图。

具体实施方式

现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明。

如图2所示，本实用新型一种蓝光LED芯片，包括金属反射层1、衬底2、n-GaN层3和p-GaN层4，所述金属反射层1设置于衬底2下，所述n-GaN层3设于衬底2上，所述p-GaN层4设于n-GaN层3上，所述p-GaN层4还设有p电极7，所述n-GaN层3设有n电极6，所述金属反射层背离衬底的下表面是粗糙、凹凸不平的，密集散布有多个凹坑。其中，金属反射层的材料是铝或者金锡合金。

进一步的，金属反射层的下表面的凹坑的大小范围是：深度0.2um-0.25um，直径0.2um-0.25um。

进一步的，金属反射层1的厚度的范围是3.5-4.5um。优选的，金属反射层1的厚度是3.5um。

具体制作上述蓝光LED芯片时，其包括以下步骤：

步骤1：在完成蓝光LED芯片生长并蒸镀金属反射层后，将未切割的晶片金属反射层面朝上，使用腐蚀液采用雾化湿法腐蚀法进行粗化处理；所用的腐蚀液是由盐酸、硝酸与水组成，盐酸和硝酸的比例是1:3，盐酸和硝酸的总浓度50%-80%，例如硝酸与盐酸的总浓度是80%，则盐酸:硝酸:水=2:6:2；所用雾化设备是耐酸碱雾化腐蚀器；雾化后液滴直径小于10^-7米；

步骤2：腐蚀液充分与金属反射层反应后，即盐酸与硝酸已充分反应后，用蒸馏水洗净，将步骤1处理后的晶片切割成预定尺寸的蓝光LED芯片。

上述步骤1中的蓝光LED芯片生长并蒸镀金属反射层是LED芯片生长行业内熟知的，这里不再赘述。

这样，由于金属反射层经腐蚀液滴腐蚀后，变得粗糙，凹凸不平。如图3所示，蓝光LED芯片的最下面的金属反射层的凹凸不平，使得减少了固晶胶，即芯片周围没有固晶胶，仅芯片底部有固晶胶，就可达到所需固晶强度，并且芯片周围没固晶胶，能增大芯片的出光率，提高光效。

尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化，均为本实用新型的保护范围。